HY5DU561622ETP：256M gDDR SDRAM规格与修订历史

本文档是关于HY5DU561622ETP型号的256兆（16Mx16）gDDR SDRAM产品的详细规格说明书。该内存芯片由Hynix Semiconductor制造，适用于需要高带宽的点对点应用。gDDR SDRAM是一种双倍数据速率同步动态随机存取存储器（Double Data Rate SDRAM），其特点是数据传输在时钟信号的上升和下降沿同时进行，提供全同步操作。 重要特性包括： 1. **容量与结构**： - 256兆位（256,435,456 bits），相当于16MB的存储空间，通过16个独立的1MB内存块（1M x 16）组成。 2. **工作模式**： - 使用双倍数据速率技术，允许在时钟周期的上升和下降沿同时读写数据，提高了数据传输速度。 - 地址和控制信号在时钟信号的上升沿（CK下降沿的/CK）被锁定，而数据、数据选通线（Data Strobes）和写数据屏蔽（Write Data Mask）输入则在两个时钟周期内有效。 3. **电源管理**： - 提供VDD和VDDQ电压定义，可能包含不同速度等级下的电压调整选项。 - 修订历史记录表明，VDD/VDDQ电压和信号延迟（如tDPL, tDAL）有所调整，以优化性能和兼容性。 4. **时序参数**： - 包括tRCD（列地址预充电时间）、tWR（写入恢复时间）等关键时序参数，这些参数在不同频率（如275MHz、300MHz、350MHz）下可能有所变化。 - 修订1.1版本中，tRCD值进行了调整，从2个时钟周期变为3个时钟周期，并删除了166MHz速度级别。 5. **注意事项**： - 文档强调此为初步规格，可能随时更新且不涉及专利授权。 - 用户在使用时需注意，Hynix半导体不对电路的使用承担任何责任。 6. **修订历史**： - 详细记录了每次修订的日期、主要更改内容以及备注，展示了产品持续改进的过程。 总体来说，HY5DU561622ETP是一款专为高性能应用设计的DDR SDRAM，具有先进的数据传输技术和灵活的电压调整，以适应不同的工作频率需求。对于系统设计师和工程师来说，了解并遵循这些规格和参数至关重要，以确保设备的最佳性能和稳定性。