共发射极集电极功率损耗与特性曲线解析

在本文中，我们讨论了三极管特别是共发射极接法中的一个重要参数——集电极最大允许功率损耗（PCM）。集电极最大功率损耗是指集电极电流通过集电结时产生的功耗，通常近似等于IC乘以VCE，因为发射结正偏使得集电结呈现低阻状态，大部分功耗集中在此。在计算中，有时会使用VCE代替VCB。 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系是研究的重点，它展示了输入电流iB与输入电压vBE的关系，以及输出电流iC与输出电压vCE的关系。输入特性曲线描绘了iB如何随着vBE变化，而输出特性曲线则展示了iC对vCE的依赖，即使在vCE增大时，由于集电结的反偏电压增大，电流iC达到饱和后基本不再显著增加，进入与vCE轴平行的区域。 输出特性曲线可以分为三个区域：饱和区（vCE较小，一般小于0.7V），此时发射结和集电结都正偏；截止区（iC接近零，发射结和集电结都反偏）；放大区（发射结正偏，集电结反偏，vCE大于0.7V左右，电流iC随vCE的变化基本平行），在此区间，三极管具有良好的电流放大能力。 文章还详细介绍了三极管的直流参数，包括共发射极的直流电流放大系数，它是衡量三极管放大能力的重要指标。这个系数在放大区通常保持稳定，但随着IC的增大，其值可能会有所减小。通过在输出特性曲线上选择垂直于X轴的直线（保持vCE恒定），可以测量出IC与IB的比例。 此外，文章提到了共基极参数，虽然这部分内容没有在提供的摘录中详细展开，但它可能涉及另一种接法的三极管特性和参数测量方法，如基极电流放大系数等。本文深入探讨了三极管的基本工作原理、特性曲线及其关键参数，这对于理解晶体管在电路设计中的作用至关重要。