2SK3577-T1B-A-VB:SOT23封装N-Channel MOSFET技术参数
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更新于2024-08-03
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"2SK3577-T1B-A-VB是一款由VB Semiconductor制造的SOT23封装的N-Channel场效应MOS管。该器件具有30V的额定 Drain-Source 电压(VDS),在10V的Gate-Source电压(VGS)下,其漏极-源极导通电阻(RDS(on))仅为30mΩ,同时支持最大6.5A的连续漏极电流(ID)。"
详细说明:
这款2SK3577-T1B-A-VB MOSFET是一款N-Channel沟道的半导体器件,采用小型化SOT23封装,适合于空间有限的应用。其主要特点是采用了TrenchFET®技术,这是一种先进的制造工艺,能有效减小器件尺寸并提高性能。TrenchFET设计使得MOSFET在同样体积下拥有更低的导通电阻,从而在工作时产生更少的功率损耗。
该器件的Gate-Source电压范围为1.2~2.2V,这确保了良好的栅极控制,有助于实现高效开关操作。此外,它已经通过了100%的栅极电阻测试,以保证产品的质量和一致性,并符合RoHS指令2002/95/EC,这意味着它不含有害物质,符合环保要求。
在应用方面,2SK3577-T1B-A-VB适用于DC/DC转换器等电源管理领域。产品摘要中列出了其关键参数,例如在25°C环境下,连续漏极电流ID为6.5A,而脉冲漏极电流IDM可达25A,适合于高电流瞬态负载条件。源极-漏极二极管连续电流IS为1.4A,尽管在70°C环境下会降低至0.9A,仍能满足一定的电流需求。
此外,该MOSFET的最大功率耗散(PD)在25°C和70°C时分别为1.7W和1.1W,而绝对最大额定值为150°C。为了保护器件,建议在焊接过程中遵循推荐的峰值温度,一般不超过260°C,以避免对器件造成热损伤。
热特性方面,给出了热阻抗数据,如θJA(结到环境的热阻),这些参数对于评估器件在不同散热条件下的稳定运行至关重要。综合以上特点,2SK3577-T1B-A-VB是一款适用于需要低功耗、高性能和紧凑封装的电子设计的MOSFET。
2024-03-13 上传
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