AOD408-VB MOSFET技术解析与应用
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更新于2024-08-03
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"AOD408-VB是一款N沟道30V MOSFET,适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换等应用。该器件采用TrenchFET技术,具有100%的Rg和UIS测试,符合RoHS指令2011/65/EU。在25°C时,其RDS(ON)典型值为70mΩ(VGS=10V)和90mΩ(VGS=4.5V),且Qg分别为25nC和27nC。绝对最大额定值包括30V的VDS、±20V的VGS以及在不同温度下的不同连续漏极电流ID。此外,还提供了脉冲漏极电流、雪崩电流脉冲、单脉冲雪崩能量等相关参数。"
AOD408-VB MOSFET是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其主要特点在于采用了TrenchFET技术,这是一种优化的制造工艺,使得MOSFET在低电压下也能保持较低的导通电阻,从而提高效率和降低功耗。这种MOSFET设计有100%的栅极电阻(Rg)和用户绝缘安全测试(UIS),确保了设备的可靠性和安全性。
在应用方面,AOD408-VB适合于电源并联(OR-ing)电路,这是在多路电源输入中防止断电或故障情况下的重要功能。同时,它也适用于服务器系统,以及直流到直流转换器(DC/DC)等电源管理领域。这些应用通常需要高效率和小尺寸的组件,而AOD408-VB的SOT23封装正好满足了这些需求。
参数方面,AOD408-VB的最大漏源电压(VDS)为30V,这意味着它可以承受高达30V的电压差。当栅源电压(VGS)为10V时,其导通电阻(RDS(ON))典型值为70毫欧姆,而在VGS为4.5V时,RDS(ON)为90毫欧姆。较低的RDS(ON)意味着在导通状态下,器件的功率损耗较小。栅极电荷(Qg)是衡量开关速度的一个参数,该MOSFET在10V和4.5V的VGS下,Qg分别为25nC和27nC,表明其开关速度快。
绝对最大额定值中,门源电压(VGS)不能超过±20V,以避免损坏MOSFET。在不同温度条件下,连续漏极电流(ID)有不同的限制,如25°C时可达到0.8A,70°C时则为1A。此外,还有脉冲漏极电流(IDM)、雪崩电流脉冲(IAS)和单脉冲雪崩能量(EAS)等参数,这些都是为了确保MOSFET在过载或短路条件下的安全运行。
热特性方面,MOSFET的连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为50A,最大功率耗散(PD)在相同温度下为100W。不同温度下的热阻(θJA)和θJC值则决定了器件在工作时如何散热,以防止过热。
AOD408-VB MOSFET是一款适用于多种电源应用的高性能、低电阻MOSFET,其特点包括TrenchFET技术、优秀的开关性能和严格的安全测试,确保了在实际操作中的高效和稳定。
2023-10-28 上传
2023-10-18 上传
2023-11-16 上传
2023-10-20 上传
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