基于双图形-图形配置的电吸收式光调制器

Electro-absorption Optical Modulator using Dual-Graphene-on-Graphene Configuration 这篇论文介绍了一种基于双图形-图形配置的电吸收光调制器（Electro-absorption Optical Modulator）。这种调制器使用四层图形嵌入到硅.on-绝缘体（SOI）波导中，通过优化每个图形-图形（GOG）层在波导中的位置，实现了强烈的图形层与光的相互作用，从而导致了波导中的有效模式指数（EMI）的显著变化。 这种电吸收光调制器的结构由四层图形组成，每层图形都与硅.on-绝缘体波导中的金属电极相连。这种设计使得总的金属-图形接触电阻降低了50%，从而提高了调制器的性能。 论文还对调制器的性能进行了模拟计算，结果表明该调制器可以达到34dB的消光比（ER）和100GHz的调制带宽，活动区域长为5µm，能耗为17.6fJ/bit。这种高性能的电吸收光调制器有望应用于高速数据传输和光通信系统中。 知识点： 1. 电吸收光调制器（Electro-absorption Optical Modulator）：一种基于电场吸收原理的光调制器，可以实现高速的光信号调制。 2. 双图形-图形配置（Dual-Graphene-on-Graphene Configuration）：一种新的图形结构，使用四层图形嵌入到硅.on-绝缘体波导中，实现了强烈的图形层与光的相互作用。 3. 图形-图形层（Graphene-on-Graphene Layer）：一种特殊的图形结构，使用两个图形层相互叠加，实现了低电阻和高速度的特性。 4. 硅.on-绝缘体波导（Silicon-on-Insulator Waveguide）：一种常用的光波导结构，使用硅.on-绝缘体材料来制成波导，具有低损耗和高速度的特性。 5. 金属-图形接触电阻（Metal-Graphene Contact Resistance）：一种影响光调制器性能的重要参数，使用双图形-图形配置可以降低总的金属-图形接触电阻。 6. 消光比（Extinction Ratio）：一种评价光调制器性能的重要参数，高的消光比表示调制器的性能越好。 7. 调制带宽（Modulation Bandwidth）：一种评价光调制器性能的重要参数，高的调制带宽表示调制器可以实现高速的数据传输。 这篇论文介绍了一种基于双图形-图形配置的电吸收光调制器，具有高性能和高速调制能力，适合应用于高速数据传输和光通信系统中。