非极性a-ZnO在a-GaN/r-Al2O3模板上的PLD生长优化

本文研究了非极性a面ZnO在a-GaN/r-plane Al2O3模板上通过脉冲激光沉积（PLD）的生长过程，由戴江南、韩祥云等人主导。作者们关注的是利用a-GaN/r-Al2O3作为衬底来减少ZnO与sapphire之间巨大的晶格不匹配问题。a-GaN层是通过金属有机化学气相沉积技术生长的，其目的是为了优化薄膜的性能。 实验中，研究者重点考察了不同沉积温度对非极性a面ZnO薄膜的影响。他们发现，晶体质量、表面形态、应变状态以及光学性质都与沉积温度紧密相关。通过优化这个参数，他们成功地展示了在a-GaN/r-Al2O3模板上可以实现高质量a面ZnO薄膜的生长。这种策略不仅提高了薄膜的结晶度，也改善了其内在的稳定性，从而使得a面ZnO在光电子器件中的应用潜力得以增强。 关键词：非极性a面ZnO、a-GaN/r-Al2O3模板、脉冲激光沉积（PLD）、金属有机化学气相沉积。这项工作对于理解和控制ZnO薄膜的生长方向和性能具有重要意义，对于开发新型ZnO基光电器件，如紫外发光二极管、透明导电膜等，提供了重要的技术路线。未来的研究可能进一步探讨如何优化生长工艺以提高薄膜的电学性能和机械强度，以满足实际应用的需求。这项首发论文为a-plane ZnO在高精度半导体衬底上的生长开辟了新的可能性。