S3C6410 NANDFlash驱动深度解析

"NandFlash驱动分析" 这篇文档主要探讨了NandFlash驱动在S3C6410处理器上的实现，适用于Samsung的S3C6410芯片，以及运行在WinCE6.0操作系统下的环境。NandFlash作为一种非易失性存储设备，其驱动分析对于理解嵌入式系统的存储机制至关重要。 1. NANDFlash分类与特性 - 大容量与小容量NANDFlash的区别在于每页的数据量，大容量为2048+64Byte，小容量为512+16Byte。 - SLC与MLC：SLC技术每个Cell存储1bit，速度快，而MLC技术每个Cell存储2bit或更多，容量大但速度相对较慢。MLC因其高容量和成本效益，更广泛应用于消费电子产品。 2. NANDFlash硬件结构 - 文档中提及的具体型号是三星的K9G8G08，工作电压2.7~3.6V，总容量为1GB数据区加上32MB信息区，内部数据寄存器为2K+64Byte。 - NANDFlash的组织结构基于页（Page）的概念，最小操作单位是Page，容量为2K+64Byte。读写操作以页为单位进行。 3. Bootloader到内核的NANDFlash驱动 - 在启动过程中，Bootloader通常负责初始化NANDFlash，验证和加载内核映像。 - 内核中的NANDFlash驱动管理硬件访问，提供高层接口供文件系统和其他内核组件使用，包括错误处理、坏块标记、ECC校验等。 4. 分析目的 - 通过对S3C6410上的NANDFlash驱动分析，可以理解ARM11处理器下NANDFlash驱动的基本原理和实现方式。 - 为其他类似处理器如SEP0718的NANDFlash驱动开发提供参考。 5. 实际应用 - NANDFlash广泛应用于手机、平板电脑、数字相机等设备，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。 这篇文档的详细内容涵盖了NANDFlash的基础知识、硬件特性、在特定平台上的驱动实现以及其实现的目的。对于开发者来说，理解这些内容对于编写和优化NANDFlash驱动，以及解决相关问题非常有帮助。