AOD4286-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET技术规格

"AOD4286-VB是一款N沟道100V MOSFET，采用TO252封装，适用于电源管理、PWM优化应用，具有150°C的结温耐受能力，符合RoHS指令。" AOD4286-VB是一款由AOD（Advanced Output Devices）公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要特性是其采用了TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上制造深沟槽结构，能够显著减小导通电阻，提高开关速度和效率。该器件的最大drain-source电压（VDS）为100V，意味着它能够在不超过100V的电压下稳定工作。 在性能方面，当栅极-源极电压（VGS）为10V时，AOD4286-VB的漏源导通电阻（RDS(on)）为0欧姆，这意味着在满偏置条件下，其内阻非常低，适合于需要低损耗开关的应用。此外，这款MOSFET经过100%的栅极电阻测试，确保了其可靠性和一致性。器件还符合欧盟RoHS指令2002/95/EC，无有害物质，符合环保要求。 AOD4286-VB的主要应用领域包括初级侧开关，这通常是指在电源转换器中作为主开关元件的角色。它被设计为优化脉宽调制（PWM）操作，这意味着它能有效地处理快速开关频率，从而在电源管理方案中提供高效的能效转换。 在电气参数上，AOD4286-VB在25°C环境温度下最大连续漏极电流（ID）为13A，在125°C时则为13A。脉冲漏极电流（IDM）可达到40A，表明它能承受短期的高电流冲击。此外，连续源电流（Diode Conduction）的最大值为3A，表明其可以作为一个体二极管使用。该器件的雪崩电流（IAS）限制为3A，允许在设计中考虑安全的雪崩操作条件。 在热性能方面，AOD4286-VB的结壳热阻（RthJC）典型值为0.85°C/W，最大值为1.1°C/W，这意味着在器件内部产生的热量会以这个比率传递到外壳。而结到环境的热阻（RthJA）典型值为15°C/W，最大值为18°C/W，表示每瓦功耗会导致器件结温升高这些度数。器件的最大功率耗散（PD）在25°C时为96W，但在高温环境下需要降额使用。 封装形式为TO-252，这是一种常见的表面安装封装，适用于各种电路板布局。总体而言，AOD4286-VB是一款适用于电源转换、开关应用的高性能MOSFET，具备良好的热管理和耐压能力，特别适合需要高效、紧凑解决方案的设计。