英飞凌BSC12DN20NS3G功率晶体管中文规格手册

英飞凌BSC12DN20NS3G是一款专为直流-直流转换优化设计的OptiMOSTM3系列功率晶体管。这款N沟道器件具有优异的栅极充电倍增因子(RDS(on)产品)和低导通电阻，使其在效率和散热性能上表现出色。其工作温度高达150°C，符合RoHS无铅标准，并通过了JEDEC标准，适用于目标应用。此外，它还符合IEC61249-2-21的卤素自由要求。 主要规格如下： 1. 连续漏极电流 (ID): 在25°C时，最大连续电流为11.3A；在100°C时降低至8.0A。脉冲电流(峰值)ID,pulse在25°C下可达到45A。 2. 单脉冲雪崩能量 (EAS): 当ID为5.7A，RGS为25Ω时，能承受60mJ的冲击能量。 3. 反向漏极电压变化率 (dv/dt): 允许的栅极-源极电压变化率为10kV/μs。 4. 栅极-源极电压范围 (VGS): 可以承受±20V的电位差。 5. 功率损耗 (Ptot): 在25°C下，最大功率损耗为50W。 6. 温度范围 (Tj, Tstg): 设计工作温度-55°C至150°C，存储温度更宽，满足IEC气候类别DINIEC68-1的55/150/56要求。 封装形式为PG-TDSON-8，具有12DN20NS的标记，该产品版本为Rev.2.2，发布日期为2011年5月20日。BSC12DN20NS3G在热特性方面，虽然没有给出具体的最小、典型和最大值，但参数表中提到了“Thermalcharacteristics”，这可能包括热阻、结温等关键的热性能指标。 这款芯片非常适合在需要高效、小型化和高可靠性的电源转换应用中使用，如开关电源、电机驱动或工业自动化设备。在设计电路时，需确保正确计算过流保护和热管理，以确保长期稳定运行。同时，注意遵循制造商提供的安全操作指导，以避免超出规格可能导致的器件损坏。