NCE0108AS-VB：100V N沟道SOP8 MOSFET特性和应用

"NCE0108AS-VB是一款N沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于开关应用。它具有低栅极电荷Qgd，以减少切换损耗，并通过了100%的Rg和雪崩测试，符合RoHS指令。其主要参数包括100V的漏源电压、±20V的栅源电压，以及在不同温度下的连续漏极电流。此外，还提供了绝对最大额定值和热特性。" NCE0108AS-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关应用，例如电源管理或电路控制。其封装形式为SO-8，这是一种标准的小外形封装，适合表面贴装在电路板上。该器件的特性之一是其极低的栅极电荷（Qgd），这有助于在高速切换操作中降低开关损耗，从而提高效率。 该MOSFET的额定漏源电压（VDS）为100V，这意味着它能够承受的最大电压差为100V，确保了在高电压环境中的稳定性。栅源电压（VGS）可达到±20V，控制极（G）与源极（S）之间的电压决定了MOSFET的开启和关闭状态。在25°C下，连续漏极电流（ID）最高可达9A，而在70°C时，这个值会降至6A，显示了其随着温度升高而降低的电流能力。 NCE0108AS-VB还通过了100%的栅极电阻（Rg）测试和100%的雪崩电流测试，确保了其可靠性和耐冲击能力。同时，该器件符合RoHS指令，意味着它是无卤素的，符合环保要求。在热特性方面，最大功率耗散（PD）在25°C时为14W，在70°C时降低到5W，反映了其散热性能。 在工作和储存温度范围内，NCE0108AS-VB可以承受-55°C到150°C的温度变化。此外，它还具备一定的瞬态脉冲电流和能量承受能力，如脉冲漏极电流（IDM）、连续源漏极二极管电流（IS）、单脉冲雪崩电流（IAS）和单脉冲雪崩能量（EAS），这些参数对于保护MOSFET免受过载和瞬态电压的影响至关重要。 NCE0108AS-VB是一款设计用于高效、可靠开关应用的N沟道MOSFET，其低Qgd、严格的测试标准和良好的热管理特性使其成为多种电子设备的理想选择。