ACE4953BFM+H-VB：双P-Channel 30V MOSFET技术规格

"ACE4953BFM+H-VB是一款由VB Semiconductor制造的双通道P-Channel沟道场效应MOSFET，采用SOP8封装，适用于电源管理、负载开关等应用。该器件的主要特点包括无卤素设计、TrenchFET技术以及100%UIS测试。其主要规格如下：在VGS=10V时，RDS(ON)为35mΩ，VGS=20V时，RDS(ON)为45mΩ，阈值电压Vth为-1.5V。此外，该MOSFET在不同工作条件下的最大电流和功率耗散能力也有所不同。" ACE4953BFM+H-VB是双P沟道30V MOSFET，具有低漏电阻特性，这对于在电源开关和高效率电路中降低损耗非常重要。TrenchFET技术的应用使得这些MOSFET在小型封装下能提供高效的性能。100%UIS测试确保了器件在过电压情况下的安全性和可靠性，这对于保护电路免受意外电压尖峰的影响至关重要。 在应用方面，这款MOSFET适用于负载开关场景，这通常包括控制电源通断，如在电池管理系统、电机驱动、电源转换器和其他需要精确控制电流流动的系统中。 产品摘要提供了器件的关键电气参数。例如，连续 Drain-Source 电压VDS的最大额定值为-30V，表明它能在负向电压下稳定工作。门极-源极电压VG的范围是±20V，适合大部分逻辑电平控制。在25°C的结温下，连续Drain电流ID的最大值为-7.3A，但随着温度升高，这个值会有所降低。 脉冲Drain电流DM和连续源-漏二极管电流IS的规格表明，器件可以处理一定的瞬态电流冲击，而Avalanche电流IA和单脉冲雪崩能量AS则说明了MOSFET在过载条件下的耐受能力。 此外，MOSFET的热特性也非常重要。在25°C和70°C的结温下，器件的最大功率耗散分别为5.0W和3.2W，而热阻抗参数RθJA和RθJC给出了器件散热性能的指标，对散热设计有指导意义。 ACE4953BFM+H-VB是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于需要高效电源管理和控制的电路设计，特别是那些要求低功耗和紧凑尺寸的应用。其详细的规格参数为设计者提供了全面的信息，以确保在实际应用中选择合适的器件并进行有效的热管理。