MT47H64M16 DDR2 SDRAM Micron芯片数据手册概述

MT47H64M16HR是Micron公司生产的一款高性能的DDR2 SDRAM内存芯片，专为满足高密度、低功耗和高速数据传输的需求设计。这款产品具有以下关键特性： 1. **电压兼容性**：MT47H64M16工作于+1.8V±0.1V的供电电压，支持SSTL_18标准的1.8V I/O接口，确保了在各种系统中的稳定运行。 2. **接口选项**：提供差分数据 strobe (DQS 和 DQS#)，以及可选的读取数据同步信号（RDQS），针对x8银行架构优化性能。 3. **内部结构**：采用了4n-bit预取架构，通过DLL（延迟线）技术来精确同步数据和时钟（CK）的上升沿，实现高效的数据传输。 4. **内存银行**：内存模块分为8个内部银行，支持并行操作，提供更高的带宽和并发处理能力。 5. **存储器配置**：提供了多种容量选项，如32MB x 4 (256M4)，16MB x 8 (64M16)，支持可编程的CAS (column address strobe) 时延（CL）和附加时延（AL），以及选择性突发长度（BL）设置，增强了灵活性。 6. **刷新和刷新周期**：支持64ms的刷新周期，以及8192个时钟周期的刷新频率，保证了长时间无故障运行。 7. **控制功能**：具备ODT（开放/闭合）功能，以及工业温度等级选项（IT），适应不同环境条件下的应用。 8. **合规性**：符合RoHS规范，即不含铅和有害物质，符合环保要求。 9. **包装形式**：MT47H64M16HR采用FBGA封装，包括Pb-free (无铅) 的x16, x8, 和 x4版本，尺寸分别为8mmx12.5mm, 8mmx11.5mm, 和 8mmx10mm，同时提供有引脚直接焊接的版本。 这款内存芯片在电子设计中广泛用于计算机、嵌入式系统和数据中心设备中，由于其高效的性能和多样化的规格选择，能满足现代电子产品对快速内存的需求。设计者在选择MT47H64M16HR时，可以根据项目特性和系统规格来决定最适合的配置和封装类型。