FDMS7602S-VB：2个30V N沟道DFN8封装高性能MOS管

FDMS7602S-VB是一种高性能的双N沟道30V D-S型MOSFET，采用先进的Trench FET®技术设计，专为低功耗和高效能应用而优化。这款器件具有以下显著特点： 1. **环保特性**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，符合RoHS指令2002/95/EC，对环境友好。 2. **可靠性测试**：该MOSFET经过100%的UIST（Unidirectional Input Short Test）和Rg（Rds(on) at Gate-Drain Voltage）测试，确保了高质量和稳定性。 3. **封装形式**：DFN8(5X6)封装，适合表面安装在1英寸x1英寸FR4电路板上，节省空间并方便集成。 4. **电气参数**： - VDS（Drain-Source Voltage）：最大30V，允许在10s脉冲下承受高达30V持续电压。 - RDS(on)（导通电阻）：典型值在VGS=10V时为0.0034Ω，而在VGS=4.5V时为0.0043Ω。 - ID（Continuous Drain Current）：在不同温度条件下有不同的限制，如在25°C时，连续电流可达60A。 - Qg（Gate Charge）：典型值在VGS=10V时为17nC。 5. **安全限制**：包括最大功率损耗（PD），单脉冲雪崩电流（IAS）、能量（EAS）等，确保在过载条件下的安全操作。 6. **温度范围**：工作结温（TJ）和储存温度范围为-55°C到+150°C，满足广泛的应用环境需求。 7. **热性能**：提供了不同的热阻值，如在25°C时，从电源到散热器的热阻为110°C/W，而在70°C下有所降低。 这款FDMS7602S-VB MOSFET适用于如机顶盒（SetTop Box）和低电流DC/DC转换器等应用，其高效率、低功耗和严格的可靠性测试使其成为这些领域中的理想选择。在实际设计中，需确保按照制造商提供的参数和限制进行操作，以保证设备的长期稳定运行。