"FDD10N20LZTM-VB是一款N沟道的场效应晶体管,采用TO252封装,适用于200V工作电压环境。它是一款TrenchFET®功率MOSFET,具有175°C的结温,优化于PWM应用,并通过了100%Rg测试,符合RoHS指令2002/95/EC。此器件主要应用于主侧开关。其关键参数包括:在VGS=10V时的RDS(on)为0.,以及不同的电流和功率等级。"
FDD10N20LZTM-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的TrenchFET技术,这使得它在功率处理和效率方面表现出色。它的最大漏源电压(VDS)为200V,确保了在高电压环境下工作的稳定性。TrenchFET设计利用沟槽结构,减小了通态电阻(RDS(on)),在VGS=10V时,RDS(on)极低,这意味着在导通状态下,晶体管对电流流动的阻碍非常小,从而提高了电源转换效率。
该MOSFET经过优化,适合脉宽调制(PWM)应用,这是许多电力转换和控制电路中的常见技术。100%的Rg测试保证了每个器件的可靠性和一致性,这对于高要求的应用至关重要。此外,FDD10N20LZTM-VB符合欧盟的RoHS标准,意味着它不含铅和其他有害物质,符合环保要求。
在应用方面,这款MOSFET被推荐用于主侧开关,如电源管理、电机驱动和开关电源等场景。其电气特性包括:在25°C结温下连续漏源电流(ID)可达20A,在175°C结温下则为7A。脉冲漏源电流(IDM)达到12A,表明它可以承受短暂的大电流冲击。同时,它还具有连续源电流(IS)6A的能力,即使在二极管导通模式下也能稳定工作。
在安全操作区(SOA)曲线内,需要注意的是,电压和电流不应超出指定范围,以防止损坏器件。最大功率耗散(PD)在25°C时为96W,但在实际应用中,应考虑结温上升,以避免过热。热性能方面,结到外壳的热阻(RthJC)和结到环境的热阻(RthJA)分别典型值为0.85°C/W和15°C/W,这些参数影响了器件的散热能力。
FDD10N20LZTM-VB是一款高性能、高耐压、低电阻的N沟道MOSFET,适用于需要高效能和可靠性的功率转换系统。在设计电路时,需注意其电气参数、温度限制以及热管理,以确保其在实际应用中的最佳性能。