FDD10N20LZTM-VB：高性能N沟道200V MOSFET

"FDD10N20LZTM-VB是一款N沟道的场效应晶体管，采用TO252封装，适用于200V工作电压环境。它是一款TrenchFET®功率MOSFET，具有175°C的结温，优化于PWM应用，并通过了100%Rg测试，符合RoHS指令2002/95/EC。此器件主要应用于主侧开关。其关键参数包括：在VGS=10V时的RDS(on)为0.，以及不同的电流和功率等级。" FDD10N20LZTM-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET技术，这使得它在功率处理和效率方面表现出色。它的最大漏源电压（VDS）为200V，确保了在高电压环境下工作的稳定性。TrenchFET设计利用沟槽结构，减小了通态电阻（RDS(on)），在VGS=10V时，RDS(on)极低，这意味着在导通状态下，晶体管对电流流动的阻碍非常小，从而提高了电源转换效率。 该MOSFET经过优化，适合脉宽调制（PWM）应用，这是许多电力转换和控制电路中的常见技术。100%的Rg测试保证了每个器件的可靠性和一致性，这对于高要求的应用至关重要。此外，FDD10N20LZTM-VB符合欧盟的RoHS标准，意味着它不含铅和其他有害物质，符合环保要求。 在应用方面，这款MOSFET被推荐用于主侧开关，如电源管理、电机驱动和开关电源等场景。其电气特性包括：在25°C结温下连续漏源电流（ID）可达20A，在175°C结温下则为7A。脉冲漏源电流（IDM）达到12A，表明它可以承受短暂的大电流冲击。同时，它还具有连续源电流（IS）6A的能力，即使在二极管导通模式下也能稳定工作。 在安全操作区（SOA）曲线内，需要注意的是，电压和电流不应超出指定范围，以防止损坏器件。最大功率耗散（PD）在25°C时为96W，但在实际应用中，应考虑结温上升，以避免过热。热性能方面，结到外壳的热阻（RthJC）和结到环境的热阻（RthJA）分别典型值为0.85°C/W和15°C/W，这些参数影响了器件的散热能力。 FDD10N20LZTM-VB是一款高性能、高耐压、低电阻的N沟道MOSFET，适用于需要高效能和可靠性的功率转换系统。在设计电路时，需注意其电气参数、温度限制以及热管理，以确保其在实际应用中的最佳性能。