英飞凌IRFB4115 PowerMOSFET中文规格书

"IRFB4115是英飞凌公司生产的HEXFET功率MOSFET芯片，主要应用于高效能同步整流、不间断电源、高速功率切换以及硬开关和高频电路。这款芯片具备150V的源漏电压（VDSS），典型的漏源导通电阻（RDS(on)）为9.3mΩ，最大值为11mΩ，硅限制下的连续漏电流（ID）在25°C时可达104A。" IRFB4115是一款高性能的功率场效应晶体管，广泛用于需要高效率和高速切换的应用中。其绝对最大额定值包括：在25°C环境温度下，连续漏电流ID为104A（VGS为10V）；在100°C环境下，该值降低。脉冲漏电流IDM和最大功耗PD也有限制，其线性降额因子为W/°C，表明随着温度上升，器件的最大功率输出会下降。 该芯片的栅极到源极电压（VGS）最高为2.5V，栅极驱动速度的dv/dt峰值表示了开关转换的速度，而器件的热特性是其稳定运行的关键。峰值二极管恢复电压（V/ns）关乎到开关瞬态响应。结温（TJ）和存储温度范围（TSTG）分别为-55至+175°C，确保了在各种环境条件下的可靠性。焊接温度短暂达到特定值不会对器件造成损害，而安装扭矩也有建议值，以防止因紧固力过大导致的损坏。 在热性能方面，IRFB4115的热阻包括：结到壳热阻（RθJC）、壳到散热器热阻（RθCS）以及结到环境热阻（RθJA）。这些参数对于计算器件在不同冷却条件下的最大工作功率至关重要。例如，RθJA的典型值为62°C/W，意味着每增加1W功率，结温将上升62°C。 此外，IRFB4115还具有单脉冲雪崩能量（EAS）的耐受能力，这是衡量器件在过载条件下承受能量冲击的能力。此特性保证了在设计电路保护时的安全裕度。 IRFB4115是一款适用于高功率密度和高效应用的MOSFET，其低导通电阻、快速开关特性和良好的热管理特性使其成为电源转换和大电流控制的理想选择。在实际应用中，必须根据其电气特性和热性能参数来正确设计电路和散热方案，以确保长期可靠的工作。