NAND flash和NOR flash技术的差异和应用场景

NAND flash和NOR flash的区别 NAND flash和NOR flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。下面我们将详细介绍这两种技术的区别。 **NOR flash技术** NOR flash技术是由Intel于1988年首先开发的，这种技术彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR flash的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR flash的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 **NAND flash技术** NAND flash技术是由东芝公司于1989年发表的，这种技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。但是，应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 **性能比较** 在性能方面，NAND flash和NOR flash有很大的差别。NAND flash的写入速度比NOR flash快很多，擦除速度也远比NOR flash快。同时，NAND flash的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。这使得NAND flash更适合高数据存储密度的应用。 **选择存储解决方案** 当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素： * 读速度：NOR flash的读速度比NAND flash稍快一些。 * 写入速度：NAND flash的写入速度比NOR flash快很多。 * 擦除速度：NAND flash的擦除速度远比NOR flash快。 * 擦除单元：NAND flash的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 * 应用场景：NOR flash更适合小容量存储，NAND flash更适合高数据存储密度的应用。 NAND flash和NOR flash都是非易失闪存技术，但是它们在性能、应用场景等方面有很大的差别。设计师在选择存储解决方案时，必须根据具体的应用场景和性能要求来选择合适的技术。