STS2301A-VB P沟道SOT23 MOSFET:性能分析与应用
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更新于2024-08-03
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"STS2301A-VB是一款P沟道MOSFET,采用SOT23封装,适用于各种低电压、低电阻的应用场景。这款MOSFET的关键特性包括其20V的额定漏源电压(VDS)、在不同栅极电压下的低导通电阻以及小巧的封装尺寸,适合表面安装。"
本文将详细分析STS2301A-VB MOSFET的主要特性和应用。
首先,STS2301A-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),这意味着它在栅极电压为正时导通,常用于高侧开关或逻辑控制电路。其最大漏源电压VDS为-20V,这决定了它可以承受的最大电压差,确保了在正常工作条件下的稳定性。
在导通电阻方面,RDS(on)是衡量MOSFET开关性能的重要参数。在VGS=-10V时,RDS(on)典型值为0.035Ω,而在VGS=-4.5V时,上升到0.043Ω,而当VGS=-2.5V时,RDS(on)达到0.061Ω。较低的导通电阻意味着在导通状态下,器件的功率损耗较小,更适用于高效能、低功耗的设计。
ID是连续漏极电流,表示在不同温度下MOSFET可以安全通过的最大电流。在25°C时,最大ID为-5mA,70°C时降低至-4.8mA。此外,还有脉冲漏极电流IDM,其最大值为-18mA,远高于连续漏极电流,允许短时间内的大电流脉冲通过。
MOSFET的Qg是总栅极电荷,表明开启或关闭MOSFET所需的能量。在这里,Qg的典型值在5nC左右,这是一个相对较低的值,意味着快速的开关速度和较低的开关损耗。
在热性能上,最大结温TJ为150°C,而最大功率耗散PD在25°C时为2.5W,随着温度升高会相应降低。RthJA和RthJF分别是最大结到环境和结到脚的热阻,它们决定了器件如何有效地散发热量。较低的热阻有助于提高MOSFET的可靠性,尤其是在高功率应用中。
最后,这款MOSFET符合无卤素标准,符合IEC61249-2-21,对环保设计友好。
STS2301A-VB P沟道MOSFET因其低RDS(on),小封装,以及良好的热性能,适用于需要高效、小型化和环保的电子设备,如电源管理、电池保护电路、便携式设备以及传感器开关等应用。
2024-06-24 上传
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2024-01-03 上传
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