IRF8736TRPBF-VB: 高性能N沟道SOP8封装MOSFET详解

IRF8736TRPBF-VB是一款高性能的N沟道SOP8封装金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，由国际 Rectifier Corporation (IR)生产。这款器件具有以下关键特性： 1. **环保设计**：采用无卤素材料，符合绿色电子产品的趋势，降低了对环境的影响。 2. **沟槽型FET**：采用TrenchFET技术，这提高了开关速度和效率，同时减小了热耗散。 3. **优化高边同步整流器应用**：IRF8736TRPBF-VB特别适合于笔记本电脑CPU核心和高侧开关应用，能有效处理高频电源转换。 4. **严格的测试标准**：100%的Rg（栅极电阻）和UISTest（单元级隔离测试），确保了器件的高质量和可靠性。 - **电气参数**： - 驱动电压范围：VDS（漏源电压）最高可达30V。 - ID（漏极电流）在室温下典型值为18A，当VGS（栅源电压）为10V时，RDS(on)（漏极导通电阻）为0.004Ω。 - 当VGS为4.5V时，ID降低到16A，RDS(on)相应地增加，但依然保持低阻值。 - 具有较高的峰值脉冲电流能力（IDM），以及单脉冲雪崩电流（IAS）和能量吸收能力（EAS）。 5. **热管理**： - 最大功率耗散：在25°C条件下，连续工作时PD最大为4.5W，而在70°C时降为2.8W。 - 温度限制：工作结温范围（TJ）以及存储温度范围（Tstg）未在描述中给出，但通常会提供一个安全的工作和储存温度范围。 6. **封装与物理尺寸**：IRF8736TRPBF-VB采用紧凑的SO-8封装，便于在电路板上紧凑布局。 7. **安装建议**：推荐表面安装在1"x1"FR4基板上，并且在10秒（t=10s）脉宽下的测试条件适用于产品性能描述。 IRF8736TRPBF-VB是一款专为高效率、低功耗应用设计的高性能N沟道MOSFET，适合在严苛的工业环境下使用，同时考虑了环保和可靠性要求。在设计电路时，需注意其电气特性和热管理参数，以确保系统性能和寿命。