英飞凌IRF9362PbF HEXFET 功率MOSFET技术规格

"IRF9362是英飞凌（INFINEON）公司生产的一款电子元器件芯片，属于HEXFET PowerMOSFET类型。这款芯片设计符合行业标准的SO-8封装，具有多供应商兼容性，并且符合RoHS标准，不含有铅、溴化物和卤素，对环境友好。产品提供两种包装形式，分别是管装（Tube/Bulk）和带式卷盘（Tape and Reel），对应的可订购零件编号分别为IRF9362PbF和IRF9362TRPbF，分别包含95个和4000个单位。" IRF9362的主要特点和优势在于其行业标准的封装，这意味着它能够与其他采用相同封装的设备无缝替换，增强了设计的灵活性。同时，其符合RoHS标准，无铅无卤，对于注重环保的产品设计是一个理想的选择。 在电气特性方面，IRF9362的最大耗散功率在25°C时为2.0W，在70°C时线性递减，每增加1°C，功率耗散减少0.016W。该芯片的工作结温及存储温度范围宽泛，从-55°C到+150°C。其最大漏源电压（VDS）在不同温度下有所不同，最高可达-8.0V或-6.4V，而门极至源极电压（VGS）的最大值为±20V。 IRF9362的连续漏电流（ID）在25°C时最大为-8.0A，70°C时也会相应降低。脉冲漏电流（IDM）和瞬态功率耗散（Pulsed Drain Current PD）也给出了相应的限制值。此外，这款MOSFET在-10V的门极电压下，最大开启电阻（RDS(on)max）为21.0mΩ，而在-4.5V的门极电压下，这个值上升到32.0mΩ。典型的栅极电荷（Qg）为13nC，这是一个影响开关速度和效率的重要参数。 IRF9362是一款适用于各种应用的高性能MOSFET，包括但不限于电源管理、电机控制、开关电源、DC-DC转换器等领域。其出色的电气性能和环保特性使其成为设计者在选择功率半导体元件时的优选之一。