IPP048N04NG-VB：N沟道TO220封装高性能MOS管

IPP048N04NG-VB是一种高性能的N沟道TO220封装MOS场效应晶体管（MOSFET），它采用TrenchFET®技术，这是一种先进的沟槽型设计，旨在提供高效率、低导通电阻和优秀的热管理。该器件经过了严格的100% Rg和UISTest，确保了在各种应用中的可靠性和稳定性。 这款MOSFET的主要特性包括： 1. **电压参数**： - 阳极-阴极电压（Drain-Source Voltage, VDS）：4V，这是器件在正常工作时允许的最大电压差。 - 漏极-源极电压（Gate-Source Voltage, VGS）：±2V，这意味着可以施加的最大控制电压范围，以实现有效的开关操作。 - 连续导通电流（在TJ=175°C时）：在25°C条件下，最大ID为110A；在70°C下，有所降低至90A。 2. **脉冲和短路保护**： - 脉冲导通电流（Pulsed Drain Current, IDM）：270A，用于处理短时间内大电流冲击的场合。 - 单脉冲雪崩能量（Single Pulse Avalanche Energy, EAS）：320V，表示在过压条件下，单个脉冲能承受的能量。 - 持续源-漏极二极管电流（Continuous Source-Drain Diode Current, IS）：在25°C时为110A，体现了器件的内建二极管特性。 3. **功率和散热**： - 最大功率损耗（Power Dissipation, PD）：在25°C下为312W，而在70°C下降至200W，强调了器件的散热设计。 - 绝对最大额定温度（Operating Junction and Storage Temperature Range, TJ/Tstg）：工作温度范围为-55°C至150°C，存储温度更低，确保长期稳定性能。 4. **热阻值**： - 器件的热阻（Thermal Resistance）是衡量散热性能的关键指标。对于结-环境（Junction-to-Ambient）和结-封装（Junction-to-Case）的典型和最大值分别为32°C/W和0.33~0.4Ω·K。 IPP048N04NG-VB适用于同步整流、电源供应等需要高效、小型化和耐高温的电路设计中。在选择和使用时，请务必注意在推荐的温度范围内操作，并确保提供足够的散热条件，以防止过热损坏。此外，根据不同的应用场景和工作频率，可能需要调整其驱动电路和电源管理策略。