CPS2300-VB: 20V SOT23 N-Channel MOSFET with 6A Rating and Low RD...

CPS2300-VB是一款由VBSEMI公司生产的N-Channel场效应MOSFET，采用SOT23封装，这是一种小型化且高效的电子元件，特别适合于紧凑型设计。该器件具有以下关键特性： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，满足RoHS指令2002/95/EC，体现了对环境友好的制造工艺。 2. **沟道结构**：采用Trench FET®技术，这种技术提供了低的栅极电荷（Qg）和优秀的开关性能。 3. **高可靠性**：100% Rg（栅极电阻）测试，确保了长期稳定的工作表现。 4. **应用广泛**：适用于多种场合，包括直流/直流转换器和便携设备的负载开关。 产品规格方面： - **耐压等级**： Drain-Source电压（VDS）高达20V，能承受较大的电压差。 - **工作电流**：在VGS=4.5V时，持续导通电流ID（典型值）为6A；随着VGS升高，电流也有所增加，例如VGS=8V时，ID约为0.042A。 - **阈值电压**：Vth在0.45V到1V之间，决定了驱动门极所需最低电压。 - **脉冲电流**：短时间峰值电流IDM可达20A，确保在短时间内提供足够的功率。 - **漏源反向电流**：连续源-漏二极管电流（IS）在典型条件下为1.75A，表明其反向截止能力。 - **散热设计**：允许的最大功率损耗PD在不同温度下有所不同，例如在70°C时为2.1W。 注意事项： - 封装限制了某些参数的表现，如在1"x1" FR4板上的表面安装。 - 最大稳定工作条件下的热耗散为125°C/W。 - 温度参数如TA=25°C时的电流限制和其他条件下的功率限制有明确的说明。 CPS2300-VB是一款高性能、低功耗、小体积的N-Channel MOSFET，适用于对功率密度和小型化设计有严格要求的应用，如移动电源或工业自动化中的开关电路。在实际应用时，需确保在指定的温度范围内操作，并注意最大功率限制，以保证元器件的可靠性和寿命。