1958年晶体三极管噪声振幅分布测量：验证正态分布

本文主要探讨的是1958年关于晶体三极管噪声振幅分布的测量方法及其研究成果。作者杜连耀和何锡年在物理学系无缝电子物理教研室进行了实验，他们选择面接触型晶体管OC70和OC71，以及点接触型晶体管2N32A作为研究对象，关注的是这些晶体管内部窄频带低频率噪声的振幅分布特性。 实验采用的是振幅峰值的方法，通过测量噪声的幅度大小来分析其分布规律。研究结果显示，窄频带晶体三极管的噪声振幅分布符合正态分布，这是统计学中的一个重要特性，表明噪声强度在一定程度上服从随机过程的自然规律，即大部分噪声值集中在一个平均值附近，而离散程度遵循特定的概率分布。 在文章的引言部分，作者提到了晶体三极管自1948年问世以来的发展历程，尽管早期晶体管存在诸如低截止频率、小功率和较大噪声等问题，但随着制造工艺的进步，这些问题得到了显著改善。噪声系数与频率的关系也被研究，指出噪声系数在某个频率范围内随频率增加而减小，而在其他频率段则会随着频率升高而上升，这是由晶体管放大系数的变化和热噪声、散粒噪声等因素共同决定的。 Montgomery和Clark的研究发现，在低频率区域，面接触型晶体管的噪声系数在小发射极电流下，能与理论预测的散粒噪声和热噪声一致。然而，当电流增大时，理论和实际结果之间出现了差异。对此，Vandel'Ziel考虑了分布噪声的影响，使得理论预测与实验数据更加吻合。这一系列研究不仅深化了对晶体管噪声特性的理解，也为优化晶体管设计和降低噪声提供了科学依据。 这篇论文在1958年的科研背景下，通过实验证明了窄频带晶体三极管噪声振幅分布的正态性，这对于当时电子设备的噪声控制和性能优化具有重要意义，同时也是早期噪声研究领域的重要贡献。