SIR802DP-T1-GE3-VB：高性能N沟道DFN8封装MOSFET特性与应用解析

本文档详细介绍了SIR802DP-T1-GE3-VB型号的N沟道DFN8(5X6)封装MOSFET，这是一种高性能的TrenchFET® PowerMOSFET器件，特别适合于高功率应用。这款MOSFET的关键特性包括： 1. **电压规格**：该器件具有30V的Drain-Source Voltage (VDS)能力，这意味着它可以承受高达30伏的电压差异。在安全区域内，门极-源极电压(VGS)的最大范围是±20V，这允许宽广的控制电压操作。 2. **电流参数**： - **持续状态下的漏极电流**（ID）在室温下最大可达160A，当VGS为10V时，其RDS(on)为1.8mΩ，提供低导通电阻。 - 当VGS降低到4.5V时，RDS(on)升至2.5mΩ。 - 漏极-源极注入电荷(Qg)典型值为82nC（VGS=10V）和130nC（VGS=4.5V），反映了漏极和源极之间的电荷迁移。 3. **应用领域**：这款MOSFET适用于高效率的电路，如OR-ing电路以及服务器电源管理，它的高电流处理能力和低导通损耗使得它在这些应用中表现出色。 4. **绝对最大限制**：文档列出了各项极限条件，如温度、电流和功耗，确保了器件在不同工作条件下能够安全运行。例如，最大脉冲漏极电流IDM为300A，单脉冲雪崩能量EAS为64.8mJ。 5. **散热和温度管理**：产品可以在-55℃至175℃的温度范围内工作，同时提供了热阻抗数据，如在25°C下的最大功率损耗PD为250W，以及不同温度下的热阻值，帮助用户评估散热设计。 总结来说，SIR802DP-T1-GE3-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，针对高功率电子应用进行了优化，包括其低导通电阻、高耐压和精确的电流控制。在选择和使用此类器件时，了解这些关键特性及其限制对于实现系统的稳定性和效率至关重要。