SIR802DP-T1-GE3-VB:高性能N沟道DFN8封装MOSFET特性与应用解析
44 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 694KB PDF 举报
本文档详细介绍了SIR802DP-T1-GE3-VB型号的N沟道DFN8(5X6)封装MOSFET,这是一种高性能的TrenchFET® PowerMOSFET器件,特别适合于高功率应用。这款MOSFET的关键特性包括:
1. **电压规格**:该器件具有30V的Drain-Source Voltage (VDS)能力,这意味着它可以承受高达30伏的电压差异。在安全区域内,门极-源极电压(VGS)的最大范围是±20V,这允许宽广的控制电压操作。
2. **电流参数**:
- **持续状态下的漏极电流**(ID)在室温下最大可达160A,当VGS为10V时,其RDS(on)为1.8mΩ,提供低导通电阻。
- 当VGS降低到4.5V时,RDS(on)升至2.5mΩ。
- 漏极-源极注入电荷(Qg)典型值为82nC(VGS=10V)和130nC(VGS=4.5V),反映了漏极和源极之间的电荷迁移。
3. **应用领域**:这款MOSFET适用于高效率的电路,如OR-ing电路以及服务器电源管理,它的高电流处理能力和低导通损耗使得它在这些应用中表现出色。
4. **绝对最大限制**:文档列出了各项极限条件,如温度、电流和功耗,确保了器件在不同工作条件下能够安全运行。例如,最大脉冲漏极电流IDM为300A,单脉冲雪崩能量EAS为64.8mJ。
5. **散热和温度管理**:产品可以在-55℃至175℃的温度范围内工作,同时提供了热阻抗数据,如在25°C下的最大功率损耗PD为250W,以及不同温度下的热阻值,帮助用户评估散热设计。
总结来说,SIR802DP-T1-GE3-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,针对高功率电子应用进行了优化,包括其低导通电阻、高耐压和精确的电流控制。在选择和使用此类器件时,了解这些关键特性及其限制对于实现系统的稳定性和效率至关重要。
2024-01-06 上传
2024-01-08 上传
2023-11-21 上传
2023-12-27 上传
2023-12-26 上传
2023-11-21 上传
2024-01-10 上传
2023-11-20 上传
2023-11-17 上传
微碧VBsemi
- 粉丝: 7516
- 资源: 2496
最新资源
- SSM动力电池数据管理系统源码及数据库详解
- R语言桑基图绘制与SCI图输入文件代码分析
- Linux下Sakagari Hurricane翻译工作:cpktools的使用教程
- prettybench: 让 Go 基准测试结果更易读
- Python官方文档查询库,提升开发效率与时间节约
- 基于Django的Python就业系统毕设源码
- 高并发下的SpringBoot与Nginx+Redis会话共享解决方案
- 构建问答游戏:Node.js与Express.js实战教程
- MATLAB在旅行商问题中的应用与优化方法研究
- OMAPL138 DSP平台UPP接口编程实践
- 杰克逊维尔非营利地基工程的VMS项目介绍
- 宠物猫企业网站模板PHP源码下载
- 52简易计算器源码解析与下载指南
- 探索Node.js v6.2.1 - 事件驱动的高性能Web服务器环境
- 找回WinSCP密码的神器:winscppasswd工具介绍
- xctools:解析Xcode命令行工具输出的Ruby库