英飞凌IGBT IGC54T65R3QE高速开关芯片规格手册
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更新于2024-08-03
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IGC54T65R3QE是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高速IGBT3芯片,专为高性能和高效率应用设计。该芯片采用650伏特(650V)的沟槽与场停止技术(Trench & Field Stop Technology),这使得它具有出色的开关速度,属于第三代高速IGBT系列。其主要特性包括:
1. **低饱和电压(VCE(sat))**:低的饱和电压有助于降低功率损耗,提高电路的能源转换效率。
2. **低电磁干扰(EMI)**:在满足高性能要求的同时,IGC54T65R3QE还注重减少对周围电子设备的电磁干扰,有利于系统的稳定运行和符合电磁兼容性标准。
3. **低关断损耗**:通过优化设计,该芯片在关闭状态下能够保持较低的损耗,这对于需要频繁开关操作的系统尤为重要。
4. **正温度系数**:这意味着随着温度上升,芯片的性能变化是正向的,有利于维持在不同工作条件下的可靠性能。
5. **符合JEDEC标准**:这款芯片已经按照国际电工委员会(JEDEC)的要求进行了严格测试和认证,确保其适用于目标应用。
推荐应用场景包括:
- **不间断电源(Uninterruptible Power Supplies, UPS)**:由于其高效能和快速响应,适用于需要连续供电且要求高可靠性的场合。
- **焊接转换器**:IGBT在高频焊接应用中表现出色,能提供稳定的电流和快速切换能力。
- **高频率转换器**:对于那些对开关频率有较高要求的电子设备,如电机驱动、电力电子设备等,IGC54T65R3QE是个理想选择。
关于物理尺寸和封装:
- **芯片类型(Chip Type)**:IGC54T65R3QE,集成了100安培(100A)的额定集电极电流,适合于高温工作环境(Tc=100°C)。
- **晶圆尺寸(Wafer Size)**:200毫米的硅片可以容纳多达486个这样的芯片。
- **封装形式**:采用锯齿形无箔封装,有利于散热,并且栅极垫尺寸为1.615x0.817毫米,总面积为49.81平方毫米。
- **机械参数**:芯片厚度为70微米,前端保护采用光刻胶,金属垫层为3200纳米的铝硅铜,背面金属层采用镍银系统,粘合剂为电气导电型环氧树脂和软焊料,导线键合采用铝材质,键合线宽度小于500微米。
IGC54T65R3QE是一款专为特定高性能应用设计的英飞凌IGBT芯片,凭借其先进的技术和卓越的性能,能够在多个工业领域中提供高效、低损耗和可靠的电力转换解决方案。
2023-07-03 上传
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2023-06-30 上传
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