英飞凌INFINEON 800V CoolMOS P7 MOSFET规格手册:卓越性能与创新技术
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更新于2024-08-03
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IPP80R600P7是一款由英飞凌(INFINEON)公司推出的高端800V CoolMOS P7系列功率晶体管,它在2018年2月13日的第2.1版规格书中详细介绍了其特性与优势。这款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是超级结技术的创新成果,代表了英飞凌在该领域的超过18年的领先地位。
主要特点包括:
1. **卓越的电导率** (FOM RDS(on) * Eoss): IPP80R600P7提供了同类产品中最低的漏极饱和压降(RDS(on)),同时通过减少寄生电容(Qg、Ciss、Coss)实现了更高效能。
2. **最佳DPAK RDS(on)**: DPAK封装设计使这款MOSFET具有优秀的开关性能,适合于紧凑型应用。
3. **低栅极阈值电压** (V(GS)th): 仅为3V,且电压变化范围极小,仅为±0.5V,这使得其在高电压操作下具有出色的稳定性。
4. **集成的齐纳二极管ESD保护**:内置保护功能确保器件在静电放电事件中的可靠工作,降低了故障率。
5. **工业应用全面认证**:符合JEDEC标准,确保了产品的工业级可靠性。
6. **优化的产品组合**:Infineon提供了全面优化的解决方案,便于设计时的选择和应用。
这些特性带来的好处包括:
- **卓越性能**:更高的功率密度设计,有助于降低物料清单成本和组装成本。
- **易于驱动和并联**:简化了电路设计,提升了系统效率。
- **提高生产良品率**:减少了由于ESD问题导致的失效,从而降低了生产中的浪费和后期的退货率。
- **简化选型**:对于精细化调谐设计,更容易找到合适的器件。
IPP80R600P7凭借其创新技术和一系列优异特性,为高压应用提供了高性能、易用性和高性价比的解决方案,适用于各种需要高效率和可靠性的工业设备,如电源转换器、电机控制等。在选择和使用此类芯片时,设计师应充分考虑这些特点,以实现最佳系统性能。
2023-06-29 上传
2023-06-28 上传
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