NTD4860NT4G场效应管规格书:onsemi技术详解
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更新于2024-08-03
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场效应管(MOSFET)是一种广泛应用在电子电路中的半导体开关元件,NTD4860NT4G型号便是其中一款。该型号的具体规格书提供了关于该器件的详细技术参数、特性以及使用注意事项。NTD4860NT4G是由OnSemi公司生产的,该公司是一家全球知名的半导体制造商,在功率管理和信号处理领域具有丰富的经验和专业知识。
NTD4860NT4G是一款增强型绝缘栅场效应晶体管(Enhanced-Mode Insulated-Gate Field-Effect Transistor),它属于金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)的一种,特别适用于高电压和大电流的应用场合。其工作原理基于电场控制载流子的流动,使得在栅极与源极之间施加电压时,可以有效地控制漏极和源极之间的电流。
规格书中包含了NTD4860NT4G的关键参数,如最大集电极-源极电压(Vds),最大允许的持续漏极电流(ID),开启和关断时间(t(on)和t(off)),以及输入阻抗等。这些数据对于设计者来说至关重要,帮助他们确保电路的稳定性和效率。
此外,规格书中还强调了知识产权保护,包括OnSemi公司的商标、专利和其他知识产权信息。用户在使用NTD4860NT4G时需了解并尊重这些权利,同时要注意产品可能存在的更改通知,以及提供的“按现状”信息,即OnSemi不对产品性能的准确性、特定用途的适用性或使用后果做出任何保证,也不承担由此产生的责任,包括但不限于特殊、间接或附带损害。
NTD4860NT4G规格书是电子工程师在设计和选择MOSFET时的重要参考资料,提供了技术细节和使用限制,以便设计师们根据具体应用需求进行合理选型和设计。同时,它也提醒用户在操作过程中要遵循制造商的指导,以确保安全和最佳性能。
2024-02-05 上传
2023-12-28 上传
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2023-06-01 上传
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qq_wh2020
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