IPD50N06S2-14-VB: 60V N沟道TO252封装场效应管规格与特性

IPD50N06S2-14-VB是一款高性能的N沟道场效应管，采用先进的Trench FET技术，专为高效率、高温环境设计。这款晶体管具有TO252封装，适合工业级应用，具有以下关键特性： 1. **耐高温性能**：该场效应管的结温高达175°C，确保在严苛的工作条件下仍能稳定运行。 2. **功率管理**：作为一款Trench FET，它提供了低的RDS(on)电阻，即在VGS=10V时，静态导通电阻为0.010Ω，在VGS=4.5V时，为0.013Ω，有助于降低开关损耗。 3. **电流能力**：连续漏极电流ID在室温下可达0.10A（TJ=175°C），并在脉冲模式下支持100A的短时峰值电流（IDM）。单次雪崩电流（IAS）和最大反向漏源电流（IS）分别为50A和50A，适用于各种快速开关和保护电路。 4. **能量处理能力**：当负载电感L=0.1mH时，单个雪崩能量限制为125mJ，确保了在限定的脉宽下设备的安全性。 5. **散热设计**：IPD50N06S2-14-VB支持良好的热管理，具有最大junction-to-ambient热阻RthJA典型值为15°C/W，以及最高18°C/W，确保热量有效散发。同时，它还提供了低至0.85°C/W的junction-to-case热阻RthJC。 6. **温度范围**：该场效应管的操作和储存温度范围广泛，从-55°C到175°C，满足不同环境下的应用需求。 7. **封装类型**：TO252封装提供良好的机械稳定性，适用于表面安装在1"x1"FR4板上，且允许不超过10秒的瞬态条件。 8. **安全注意事项**：如产品规格表所示，有一些限制条件，如包封限制、表面安装要求以及瞬态条件下的最大电流限制。 9. **额外信息**：VB半导体公司的服务热线为400-655-8788，产品数据手册（Datasheet）提供完整的技术细节和应用指导。 这款IPD50N06S2-14-VB场效应管是设计师在需要高效率、耐高温和可靠性的电源管理、电机驱动或开关应用中值得信赖的选择。在选择和使用时，请确保参考数据表中的限制，并根据具体设计条件进行充分的热管理和电路设计。