FDS9933A-NL-VB: 2个-30V高电流P-Channel MOSFET

FDS9933A-NL-VB是一款由VBSEMICONDUCTOR公司生产的双极型P-Channel场效应MOSFET，采用SOP8封装，具有以下关键特性： 1. **环保设计**：FDS9933A-NL-VB采用无卤素材料，符合环保标准。 2. **沟道技术**：该器件采用Trench FET®功率MOSFET结构，这有助于提高开关速度、降低导通电阻，并增强散热性能。 3. **高可靠测试**：每个器件都经过严格的100% UISTest，确保其在实际应用中的稳定性和可靠性。 4. **电气参数**： - **最大漏源电压（VDS）**：-30V，确保了设备能在高电压下工作。 - **导通电阻（RDS(ON)）**：在VGS = 10V时，RDS(ON) = 35mΩ，而在VGS = 20V时稍有增加。 - **最大持续电流（ID）**：在室温下，最大连续 Drain Current（ID）为-7.3A，在不同温度条件下有所不同。 - **门极阈值电压（Vth）**：P-Channel MOSFET的阈值电压为-1.5V，表示开启导电所需的最小电压。 5. **应用领域**：这款MOSFET适用于负载开关等需要快速切换和低导通损耗的电路设计。 6. **封装规格**：表面安装在1"x1" FR4基板上，适合小型化电路设计。 7. **热管理**：在额定条件下，最大功耗处理能力为5W（室温），并提供不同温度下的热阻数据，以帮助用户了解散热需求。 8. **操作温度范围**：FDS9933A-NL-VB的工作和储存温度范围广泛，从-55°C到+150°C，满足各种环境条件。 9. **过载保护**：器件还具备一定的脉冲和单次脉冲雪崩电流能力，确保在突发情况下仍能保持安全。 FDS9933A-NL-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET，适用于对功耗、速度和温度耐受性有较高要求的电子应用，如电源管理、信号放大器或电机驱动电路中。用户在设计电路时需注意其各项电气参数限制以及推荐的工作条件。