SUD40N06-25L-VB：TO-252封装N沟道MOSFET技术规格与应用

"SUD40N06-25L-VB是一款TO252封装的N沟道MOSFET，适用于各种功率应用。它采用TrenchFET技术，可承受175°C的结温，具有低的导通电阻和较高的电流处理能力。" SUD40N06-25L-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET，其主要特点在于其采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，能够提供更低的导通电阻（rDS(on)），从而在高电流传输时降低功耗和发热。根据产品摘要，该MOSFET在VGS=10V时的rDS(on)为0.025Ω，而在VGS=4.5V时为0.030Ω，这使得它在开关应用中表现优秀，能有效提高电源效率。 该器件的最大连续漏极电流（ID）在环境温度为25°C时为60A，而在100°C时也能承受一定的脉冲电流。此外，它的栅源电压（VGS）额定值为±20V，适合在宽电压范围内操作。SUD40N06-25L-VB还允许在10秒内表面贴装在1"x1"FR4板上，表明其适合于表面安装技术（SMT）的应用。 在热特性方面，MOSFET的最大结壳热阻（RthJC）为3.2到4°C/W，而最大结到环境的热阻（RthJA）在瞬态条件下为18到22°C/W，在稳态条件下为40到50°C/W。这些参数决定了器件在不同工作条件下的散热性能，确保了在高功率应用中的稳定性和可靠性。 SUD40N06-25L-VB的绝对最大额定值包括：连续漏极电流（ID）在175°C结温下为100A（脉冲），连续源电流（IS）为23A，雪崩电流（IAS）为20A，以及单次雪崩能量（EAS）为20mJ。最大功率耗散在25°C时为100W，表明其在高功率应用中的适用性。 这款MOSFET符合RoHS标准，意味着它不含铅且符合环保要求。用户可以通过VBsemi的服务热线400-655-8788获取更多信息，或者查阅SUD40N06-25L-VB的数据手册以获取详细的技术规格。 SUD40N06-25L-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效、低损耗和良好热管理的电源转换、驱动电路以及其他功率电子应用。它的低rDS(on)和高电流能力使其成为设计者在高功率、低电压应用中的理想选择。