HY628100ALG：128Kx8bit CMOS SRAM技术规格

"HYNIX-HY628100ALG.pdf 是一份关于HYNIX公司的HY628100ASeries 128Kx8位CMOS静态随机存取存储器的技术规格书。文档可能包含了产品详细描述、特性、性能参数等信息。" HY628100ASeries是一款高性能、低功耗的1Mbit CMOS静态随机存取内存，其存储容量为131,072字节×8位。这款芯片采用了先进的CMOS工艺技术，设计目标是实现高速度和低功耗。它特别适用于需要高密度低功耗系统应用的场景。 该设备的一大特点是数据保留模式，在电源电压最低为2.0V的情况下，仍能保证数据的完整性，这对于需要电池备份或者低功耗运行的系统来说是非常重要的。HY628100A具备以下关键特性： 1. 全静态操作：意味着即使在时钟停止时，内存的状态也会被保持。 2. 三态输出：输出可以在驱动、高阻态和低阻态之间切换，适应不同系统的需求。 3. TTL兼容输入和输出：与标准TTL逻辑电路兼容，方便与其他设备集成。 4. 电池备份功能（L/LL型）：在电源电压降至2.0V（最小值）时，仍可保持数据保留。 5. 标准封装：提供32引脚525mil SOP和32引脚8x20mm TSOP-I两种封装形式。 在操作和功耗方面，HY628100A提供了不同速度等级的选项，如55ns、70ns和85ns，对应的读取周期分别为10ns。工作时的电流约为1mA，而待机状态下电流仅为100uA。工作温度范围为0°C到70°C。 值得注意的是，还有50ns的速度等级可供选择，这表明该芯片可以提供更快速的访问时间。用户在设计系统时可以根据实际需求选择合适的速度等级和功耗级别，以达到最佳性能和效率的平衡。 HY628100A是一款针对低功耗、高性能应用场景设计的CMOS SRAM，适合于各种需要高效能、稳定性和低能耗的嵌入式系统和计算机系统。其数据保留功能和广泛的电气参数选择，使其在电池供电或电源受限的设备中尤为适用。