AM4902N-T1-PF MOSFET：双通道60V，低RDS(on)特性解析

"AM4902N-T1-PF-VB-MOSFET是一款双通道N沟道60V MOSFET，具有低RDS(ON)特性，适合在10V时达到27mΩ，4.5V时达到32mΩ，采用SOP8封装。该器件经过100%的Rg和UIS测试，适用于需要高效能、低损耗开关或放大应用。" AM4902N-T1-PF MOS管是一种双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于处理高压和中等电流的应用。它的主要特点是采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上形成深沟槽来减小电阻，从而实现更低的导通电阻（RDS(on)）和更高的开关效率。 产品参数显示，这款MOSFET的额定漏源电压（VDS）为60V，这意味着它能够承受高达60V的电压差，确保在高压环境下稳定工作。在10V的栅极-源极电压（VGS）下，每条腿的RDS(on)仅为27mΩ，而在4.5V的VGS下，RDS(on)降低到32mΩ。这使得AM4902N-T1-PF在需要低电阻开关操作的应用中表现出色，如电源管理、电池供电系统或电机驱动。 连续漏极电流（ID）在25°C时为7A，而在125°C时为4A，表明其具有良好的热性能，但高温环境下的电流能力会下降。同时，单个通道的最大脉冲漏极电流（IDM）可达到28A，适合短时大电流需求。此外，该MOSFET具有3.6A的连续源极电流（IS）能力，以满足二极管导通条件。 安全操作范围内的最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，确保了在正常操作条件下器件的安全性。在短路保护和过流保护设计中，AM4902N-T1-PF可以承受单脉冲雪崩电流（IAS）为18A和单脉冲雪崩能量（EAS）为16.2mJ，防止内部损坏。 散热方面，AM4902N-T1-PF的结壳热阻（RthJ-PCB）为110°C/W，意味着每增加1W的功率损耗，芯片温度会上升110°C。这提示用户在实际应用中需要考虑适当的散热解决方案，尤其是在高功率应用中，以防止过热。 AM4902N-T1-PF MOSFET适用于需要高效能、低功耗转换和控制的电子设备，如开关电源、负载开关、电池管理系统以及需要精确电流控制的其他应用。其紧凑的SOP8封装使其易于集成到各种电路板设计中，同时其出色的电气性能确保了可靠的工作性能。