MDS5751RH-VB: 60V双通道N沟道SOP8封装场效应MOSFET特性概览

MDS5751RH-VB是一款由VBSEMİ生产的双通道N-Channel场效应MOS管，采用SOP8封装，专为高性能应用设计。这款器件的特点包括： 1. **技术特性**： - **Trench FET**结构：利用先进的 trench（沟槽）工艺，提供了更高的开关效率和更低的导通电阻。 - **高可靠性**：100%测试了Rg和UIS参数，确保在极端条件下也能稳定工作。 2. **电气规格**： - **耐压等级**：每个N-Channel MOSFET支持60V的Drain-Source电压（VDS），允许在10V和4.5V的Gate-Source电压（VGS）下工作。 - **电流能力**：每个通道的最大连续漏极电流（ID）为7A，在25°C时为4A，单脉冲峰值电流（IDM）高达28A。 - **浪涌电流与能量**：单脉冲雪崩电流（I_Aavalanche）和能量（E_Aavalanche）分别为18A和16.2mJ。 3. **热性能**： - **功率处理能力**：最大持续功率消耗限制在25°C下为4W，当温度升高至125°C时为1.3W。 - **温度范围**：工作和存储温度范围为-55°C到+175°C，同时提供了Junction-to-Ambient热阻值，约为110℃/W（RthJA）。 4. **封装和安装注意事项**： - SOP8封装，适合于紧凑空间应用。 - 尽管没有明确指出，但建议在脉冲测试中，脉宽不超过300μs，占空比不超过2%。 - 当安装在1"平方PCB（FR4材料）上时，需要考虑封装限制。 总结来说，MDS5751RH-VB是针对高电压、大电流和高可靠性的应用设计的一款高性能双通道N-Channel MOSFET，适用于电源管理、电机控制、逆变器等电子设备中，对散热设计和电路保护有较高的要求。在选择和使用该器件时，应参考产品数据表中的详细参数和条件，确保在规定的极限范围内操作以确保最佳性能和寿命。