模拟电子技术基础：核心公式一览

"模拟电子技术基础中的常用公式" 模拟电子技术是电子工程领域的重要组成部分，它主要研究电子设备和系统中的信号处理与放大。本资源集合了模拟电子技术中的经典公式，便于学习和复习。以下是对这些公式的详细解读： 1. 二极管的伏安特性：二极管的电流iD与电压uD的关系可用以下公式表示，其中VT为温度电压当量，IR(sat)为反向饱和电流。这个公式描述了二极管的非线性特性，VT通常在室温下约为26mV。 2. 直流等效电阻RD：二极管的直流电阻是电压UD与电流ID的比值，它与工作点有关。正向和反向的直流电阻差异表明二极管的单向导电性，数值越大，单向导电性能越好。 3. 交流等效电阻rd：交流电阻rd随工作点变化，是二极管在交流电路中的表现。对于同类型号的二极管，参数可能有较大分散，使用时需注意实际测试条件。 4. 稳压管工作电流：稳压管的稳定电流IZ应介于最小稳定电流IZmin和最大稳定电流IZmax之间。低于IZmin时稳压效果差，超过IZmax可能导致永久性击穿。 5. BJT三极管的电流关系：IC、IB和IE分别代表集电极电流、基极电流和发射极电流。公式如GS0105至GS0110所示，它们描述了BJT内部电流的相互关系，如IC≈INC表示集电极电流近似等于注入基区的载流子电流等。 6. BJT放大系数：GS0111至GS0115给出的公式涉及BJT的放大系数hFE、hie、hoe等，这些系数在设计放大电路时非常重要，用于计算电流放大倍数和输入/输出电阻。 7. BJT的共射极、共基极和共集电极配置：GS0116至GS0118描述了BJT在不同配置下的电压和电流关系，这些配置在设计不同类型的放大器时各有优势。 这些公式是模拟电子技术基础的核心，涵盖了半导体器件的基础特性，如二极管和三极管的行为，以及它们在电路中的应用。理解并掌握这些公式，对于深入学习电子技术、设计电路至关重要。在实际操作中，需结合具体应用场景和器件参数进行灵活运用。