SUD40N10-25-E3-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET技术规格

"SUD40N10-25-E3-VB是一种N沟道的MOSFET，采用TO252封装，适合在高效率电源管理、开关电源、电机驱动等应用中使用。这款MOSFET具有低电阻、高结温以及良好的热性能。" SUD40N10-25-E3-VB是一款由Siliconix（现属Infineon Technologies）制造的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特性包括： 1. **TrenchFET Power MOSFET技术**：这种技术利用沟槽结构来提高MOSFET的栅极电荷控制，从而实现更低的导通电阻和更好的开关性能。 2. **175°C结温**：允许该器件在高温环境下工作，提高了其在高温应用中的可靠性。 3. **低热阻封装**：TO252封装设计有助于减少器件内部到外部环境的热阻，确保热量快速有效地散发，降低了热应力，提高了器件寿命。 产品参数如下： - **额定电压**：V(BR)DSS为100V，表示源漏间最大耐压为100伏。 - **导通电阻**：rDS(on)在VGS=10V时为0.030欧姆，在VGS=4.5V时为0.037欧姆，这表明在适当门极电压下，器件具有非常低的内阻，适合大电流低损耗的应用。 - **连续漏极电流**：ID在结温TJ=175°C时为40A，TJ=125°C时为23A，表明其能承载较高的持续电流。 - **脉冲漏极电流**：IDM为120A，说明器件可以短时间内承受高于连续漏极电流的峰值电流。 - **雪崩能量**：重复雪崩能量(EAR)在L=0.1mH时为61mJ，表明该器件在电路保护和过载条件下的稳定性。 此外，SUD40N10-25-E3-VB还符合以下电气和热性能指标： - **最大功率耗散**：在TC=25°C时，最大功率耗散为107W，但当温度升至TA=25°C时，功率限制降低至3.75W。 - **热阻**：RthJA为40°C/W，表示每瓦功率产生的温升为40°C；RthJC为1.4°C/W，是结到外壳的热阻。 器件还特别标注了其RoHS合规性，意味着它不含铅且符合环保标准。封装引脚排列为D-S-G，即源极(S)，漏极(D)，栅极(G)。 SUD40N10-25-E3-VB适用于需要高效、低损耗开关操作的各种应用，例如电源转换、电池管理系统、DC-DC转换器、马达驱动等。其出色的热管理和高性能特性使其成为高功率密度设计的理想选择。