"SUD40N10-25-E3-VB是一种N沟道的MOSFET,采用TO252封装,适合在高效率电源管理、开关电源、电机驱动等应用中使用。这款MOSFET具有低电阻、高结温以及良好的热性能。"
SUD40N10-25-E3-VB是一款由Siliconix(现属Infineon Technologies)制造的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其主要特性包括:
1. **TrenchFET Power MOSFET技术**:这种技术利用沟槽结构来提高MOSFET的栅极电荷控制,从而实现更低的导通电阻和更好的开关性能。
2. **175°C结温**:允许该器件在高温环境下工作,提高了其在高温应用中的可靠性。
3. **低热阻封装**:TO252封装设计有助于减少器件内部到外部环境的热阻,确保热量快速有效地散发,降低了热应力,提高了器件寿命。
产品参数如下:
- **额定电压**:V(BR)DSS为100V,表示源漏间最大耐压为100伏。
- **导通电阻**:rDS(on)在VGS=10V时为0.030欧姆,在VGS=4.5V时为0.037欧姆,这表明在适当门极电压下,器件具有非常低的内阻,适合大电流低损耗的应用。
- **连续漏极电流**:ID在结温TJ=175°C时为40A,TJ=125°C时为23A,表明其能承载较高的持续电流。
- **脉冲漏极电流**:IDM为120A,说明器件可以短时间内承受高于连续漏极电流的峰值电流。
- **雪崩能量**:重复雪崩能量(EAR)在L=0.1mH时为61mJ,表明该器件在电路保护和过载条件下的稳定性。
此外,SUD40N10-25-E3-VB还符合以下电气和热性能指标:
- **最大功率耗散**:在TC=25°C时,最大功率耗散为107W,但当温度升至TA=25°C时,功率限制降低至3.75W。
- **热阻**:RthJA为40°C/W,表示每瓦功率产生的温升为40°C;RthJC为1.4°C/W,是结到外壳的热阻。
器件还特别标注了其RoHS合规性,意味着它不含铅且符合环保标准。封装引脚排列为D-S-G,即源极(S),漏极(D),栅极(G)。
SUD40N10-25-E3-VB适用于需要高效、低损耗开关操作的各种应用,例如电源转换、电池管理系统、DC-DC转换器、马达驱动等。其出色的热管理和高性能特性使其成为高功率密度设计的理想选择。