MTD6P10ET4-VB MOSFET: -100V P沟道器件的特性、应用与参数解析

0 下载量 61 浏览量 更新于2024-08-03 收藏 330KB PDF 举报
MTD6P10ET4-VB-MOSFET是一款专为高性能电力开关和直流/直流转换器设计的P沟道100V耐压的Trench FET®功率MOSFET。它采用无卤素材料,符合IEC 61249-2-21标准,并通过了RoHS指令2002/95/EC的要求,确保了环保和安全。 这款器件的特点包括: 1. **技术规格**: - 集成度高:采用了Trench FET结构,提供低的RDS(ON)值,即在10V时为188mΩ,4.5V时为195mΩ,体现了出色的开关效率。 - **电压控制**:最大可承受的栅源电压为±20V,而阈值电压(Vth)为-1.77V,确保了宽广的工作范围。 - **电流能力**:在常温下(TJ=25°C),连续导通电流ID为-8.8A,而在高温(TJ=70°C)下略有下降,脉冲电流能力IDM可达-25A。 - **过载保护**:有单次雪崩电流限制,当L=0.1mH时,单次雪崩能量EAS为16.2mJ,确保设备在过载条件下仍能保持稳定。 2. **热性能**: - 最大功率损耗在25°C下为32.1W,而TA=25°C下的热耗散系数为2.5W/W。 - 结温范围广泛,从-55°C到150°C,适应各种环境条件。 - 提供良好的热阻,Junction-to-Ambient热阻RthJA为50°C/W,确保了在电路板安装时良好的散热性能。 3. **应用场景**: - MTD6P10ET4-VB-MOSFET适用于需要高开关速度和低导通电阻的应用,如电力开关、DC/DC转换器等。 - 应注意工作时的 duty cycle限制,不超过1%,同时参考SOA曲线以了解电压降的影响。 4. **安装注意事项**: - 当安装在1英寸见方的FR-4材料PCB上时,应考虑封装的热应力和散热要求。 - 安装前务必检查封装类型(TO-252),并且确保遵循制造商提供的安装指南。 MTD6P10ET4-VB-MOSFET是一款高性能的沟道MOSFET,具有优异的开关特性、宽广的工作温度范围和严格的环保标准,适用于对电流、电压和热管理有高要求的电力电子应用场合。在实际应用中,需充分理解并考虑其参数限制和操作条件,以确保设备的稳定和高效运行。