0.18微米工艺下MOS管gm/Id曲线模拟教程：小白入门

本文档主要针对初学者介绍了如何在eetop.cn网站提供的IC617仿真环境中设计并分析运算放大器的gm/Id特性曲线，使用的是TSMC0.18um工艺。首先，读者需要在原理图中搭建一个基于M0的MOSFET模型，通过设置Vgs和Vds为直流电压源来控制栅极和漏极电压。确保在电路图上清晰标注这些电压源，并保存设置。 在ADE(Advanced Design Environment)软件中，作者指导用户如何进行直流仿真实验，验证MOS管的工作状态，比如检查是否在饱和区。接着，用户需学习如何设置输出参数gm/Id，通过Calculator窗口创建并编辑计算公式，包括选择合适的表达式，如pv("M0""gm"?result"dcOpInfo") 和 pv("M0""id"?result"dcOpInfo")，以获取gm和Id的值，然后计算两者比率。 接下来，文档详细解释了如何设置扫描参数，例如vgs的变化范围，以便进行多点分析。运行仿真后，用户可以自动获取gm/Id和Id/W的曲线数据，并对坐标轴进行调整，以便于理解和解读数据。最后，作者指导如何导出数据到Excel表格，以便后续的数据处理和分析。 整个过程强调了实际操作步骤和关键概念，包括模拟电路的设计、参数设置、数据分析工具的使用以及数据可视化，对初学者来说是一份实用且详尽的教程。对于想要深入了解运算放大器设计和MOSFET特性的人来说，这是一份宝贵的参考资料。