晶体管电流分配关系详解：模拟电子技术基础

晶体管的电流分配关系是模拟电子技术基础课程的核心内容之一，它涉及到晶体管内部载流子的运动与外部电流的相互作用。在晶体管的电流关系中，有以下几个关键概念： 1. **IEp (发射极正向电流)**: 指的是在晶体管正常工作时，从发射区流向基区的电流，它是发射极电流的一部分。 2. **ICBO (饱和漏极电流)**: 当晶体管进入饱和状态时，基区电流IC不再增加，此时通过漏极的电流达到最大值，称为饱和漏极电流。 3. **IE (集电极电流)**: 晶体管的集电极电流，包括ICn（饱和区的电流）和ICBO，即IC = ICn + ICBO。这是放大电路的主要参数，反映了晶体管的放大能力。 4. **ICn (饱和区电流)**: 在饱和状态下，当基极电流IB不再增加，集电极电流IC达到饱和，此时的电流称为饱和区电流。 5. **IB (基极电流)**: 控制晶体管放大作用的基础电流，通常由输入信号控制。根据电流分配关系，IB = IEP + IBN - ICBO，说明基极电流是由发射极正向电流和发射极反向电流之和减去饱和漏极电流决定的。 6. **IEn (发射极反向电流)**: 在反向偏置条件下，从基区流向发射区的电流，它在实际应用中较小，但对某些特定电路（如PNP管）的分析很重要。 7. **IBn (基极反向电流)**: 对应于IEn，是从发射极流向基区的反向电流，也称作截止漏电流。 晶体管电流分配关系的掌握对于理解放大电路的工作原理至关重要。在模拟电子技术的教学中，通过如图1.3.4所示的晶体管内部载流子运动模型，学生可以理解电流是如何在晶体管各部分流动，并通过公式推导和实际电路分析来计算和调整这些电流。此外，课程强调了实践性，要求学生掌握基本概念，了解基本电路的结构、性能特点和分析估算方法，以便能分析一般性电路并进行简单设计。 课程大纲涵盖了多个模块，如常用半导体器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大器等，旨在使学生熟悉模拟电子电路的各种类型及其工作原理。学习过程中，会结合多媒体教学，通过《电子技术基础》、《模拟电子技术基础问答》等教材辅助学习，并通过实验环节提升动手能力和理论知识的结合。最终目标是培养学生的电子电路分析和设计能力，使其能在日常生活中理解和应用电子技术，包括在GPS、雷达和导航系统等高科技设备中的应用。