英飞凌650V CoolMOS CFD7A MOSFET 芯片中文规格书
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更新于2024-08-03
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"IPW65R230CFD7A INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册提供了关于英飞凌公司650V CoolMOS CFD7A系列功率器件的详细信息,特别是MOSFET的特性、优势以及应用领域。"
英飞凌的IPW65R230CFD7A是一款650V的CoolMOS CFD7A系列功率MOSFET,设计用于汽车行业的高电压应用。该芯片具备最新的汽车级技术,并集成了快速体二极管,具有超低的反向恢复电荷(Qrr),这在高频率开关操作中至关重要,因为它降低了转换过程中的能量损耗。
规格书中提到的几个关键特性包括:
1. 超低的RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss:RDS(on)是指MOSFET导通时的漏源电阻,Qg是栅极电荷,Eoss是存储电荷。这些参数的低值意味着在开关操作中更低的功耗和更高的效率。
2. 100%雪崩测试:确保了芯片在过压条件下的耐用性和稳定性,满足汽车应用对高可靠性的要求。
3. 业界最佳的RDS(on):在表面贴装设备(SMD)和通孔直插设备(THD)封装中,其导通电阻达到了同类产品中的最优水平,从而在大电流应用中实现更低的电压降,提高能效。
4. 集成的快速体二极管:在零电压开关(ZVS)相移全桥和LLC谐振转换器等谐振拓扑中,这个特性尤为有用,可以提供平滑的电流过渡,减少反向恢复电流的影响。
优势方面,IPW65R230CFD7A优化了对更高电池电压(高达475V)的支持,得益于其增强的鲁棒性,能有效降低开关损耗,使开关速度更快且更高效。此外,由于其低的RDS(on),即使在高电压下,也能保持较低的热损耗,有利于散热设计。
这款英飞凌的MOSFET适用于需要高效能、高可靠性以及能处理高电压的汽车电子系统,如电力转换、电源管理以及电机控制等应用。其独特的特性和优势使其成为汽车行业内理想的功率开关解决方案。
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2023-06-13 上传
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