NANDFlash数据存储与读写详解：以K9F1208为例

NAND Flash 存储方法是一种非易失性闪存技术，其数据以二进制位（bit）的形式存储在内存单元（memory cell）中。每个cell通常只能容纳一个bit的信息，这是NAND Flash 存储的基础结构。数据按字节（byte）或单词（word）进行组织，一个cell可能包含8个或16个bit，从而形成位宽。对于K9F1208U0M这款三星NAND Flash 芯片，它以8位为一字节（byte），16位为一字词（word）来构建其逻辑架构。 数据存储在NAND Flash 中是按照页（Page）和块（Block）进行划分的。一个页通常是528字节，其中512字节是主要区域（Main Area），用于存储用户数据，剩余的16字节是保留区（Spare Area），用于存储元数据。每32页构成一个块，块的大小为16KB（16kByte）。例如，512Mbit的NAND Flash 会有4096个块，每个块对应32个页。 在操作上，NAND Flash 的地址和命令通过I/O引脚的低7位（A[7:0]）传输，数据宽度为8位。对于528字节的页，需要9位（A[7:0]）来表示，为了处理页中的不同部分，如第一半和第二半，采用地址指针命令进行选择。每32页需要5位来表示块内位置（A[13:9]），而块的地址则由A[14:25]（或A[25:14]和A[26:24]，根据具体容量）来标识。页地址由块地址和块内页的位置组成，同时包括半页指针（halfpagepointer）和列地址（ColumnAddress）。 NAND Flash 的读写操作遵循特定的地址格式：首先，数据按列地址访问（ColumnAddress），然后是页地址（PageAddressinblock），接着是块地址（BlockAddress），最后是半页指针。这种组织方式确保了高效的数据访问和管理，同时也使得NAND Flash 成为现代电子设备中广泛应用的存储介质，尤其在移动设备、固态硬盘和U盘等产品中。