HY57V641620HGT：高密度同步DRAM规格详解

"HY57V641620HGT是海力士(Hynix Semiconductor)生产的一款同步动态随机存取存储器(SDRAM)，主要用于需要大容量内存和高带宽的应用场合。这款芯片被组织为4个1,048,576x16位的银行结构，总共有67,108,864位的存储容量。" HY57V641620HGT是一款高度同步的CMOS SDRAM，其设计特点在于与时钟的正沿同步操作。这意味着所有的输入和输出都与时钟输入的上升沿对齐。数据路径内部采用了流水线技术，从而实现了极高的数据传输速率。该器件的输入和输出电压水平与低电压晶体管-晶体管逻辑（LVTTL）兼容，确保了与各种系统的良好互操作性。 该规格书中提到，HY57V641620HGT具有可编程选项，以满足不同的系统需求。其中包括读取延迟的长度，可以选择2或3个时钟周期。此外，它支持连续的读写操作，由单个控制命令启动，可以设置突发长度为1、2、4、8或全页模式。这提供了灵活的数据访问控制，适应不同应用场景的需求。突发序列模式可以是顺序或交错，使得数据读写更加高效。 突发终止功能是另一个重要的特性，允许在正在进行的读写循环中通过突发终止信号来中断，这对于动态调整内存操作和优化系统性能至关重要。这种灵活性使得HY57V641620HGT成为高性能计算、服务器、图形处理和其他对内存带宽要求极高的应用的理想选择。 请注意，这份文档是一个一般性的产品描述，可能会随时更新，而海力士半导体不承担使用所描述电路的责任。同时，文档中未暗示任何专利许可。版本号为Rev.0.7，发布日期为Jan.021。 HY57V641620HGT是一款高性能、高密度的SDRAM，具备丰富的可编程特性，能够适应多种系统配置，满足现代电子设备对内存速度和容量的严格要求。其设计考虑到了效率、灵活性和兼容性，是构建高性能系统内存解决方案的重要组件。