80N06-CMB80N06-VB：N沟道低热阻TrenchFET功率MOSFET

"80N06-CMB80N06-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用TO263封装，具有低热阻特性，100%的Rg和UIS测试通过，并符合RoHS指令。这款场效应管在VGS=10V时的RDS(on)为0.0028Ω，在VGS=4.5V时的RDS(on)为0.0120Ω，最大连续漏源电压VDS为60V，最大连续漏极电流ID（在25°C）为210A。此外，它还具有耐高温和高脉冲电流的能力。" 80N06-CMB80N06-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，其核心技术是TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上挖掘精细的沟槽来实现更小的通道电阻，从而提高开关速度和降低导通电阻。TO263封装设计则有助于提供更低的热阻，确保器件在运行过程中能有效地散发热量，这对于大电流应用至关重要。 该场效应管的关键参数包括： 1. **RDS(on)**：这是衡量MOSFET导通状态下的通道电阻，数值越小，意味着在相同电压下流过更大电流时损耗越小。在VGS=10V时，RDS(on)为0.0028Ω，而在VGS=4.5V时，RDS(on)为0.0120Ω，表明其在高栅极电压下具有更好的导电性能。 2. **VDS**：最大连续漏源电压，60V的VDS值表明它可以承受较高的电压冲击，适用于需要处理较大电压波动的电路。 3. **ID**：连续漏极电流，210A的额定值表示在25°C时MOSFET可以连续通过的最大电流，而120A是在125°C时的额定值，这反映了其在不同温度下的稳定工作能力。 4. **IS**和**IDM**：分别代表连续源电流和脉冲漏极电流，表明器件在特定条件下可承受的瞬时大电流。 此外，80N06-CMB80N06-VB符合RoHS标准，这意味着它不含卤素，对环境友好。100%的Rg和UIS测试通过，确保了器件的可靠性和安全性。器件的热特性也很出色，如junction-to-ambient的热阻RthJ，它影响了器件在不同环境温度下的散热效率。 80N06-CMB80N06-VB是一款高性能、环保的N沟道MOSFET，适合需要高电流、低电阻和良好热管理的电源转换、电机驱动和其他电力电子应用。它的设计考虑了高效率、高可靠性以及对环境的友好性，使其成为现代电子设备中的理想选择。