2G NAND闪存技术概述与MT系列型号特性

本文档主要介绍了2G NAND闪存记忆体的详细规格和技术特性，涉及的型号包括MT29F2G08ABAEAH4、MT29F2G08ABAEAWP、MT29F2G08ABBEAH4、MT29F2G16ABAEAWP和MT29F2G16ABBEAHC，这些产品均遵循ONFI(Open NAND Flash Interface) 1.0标准，采用单级细胞(SLC)技术。 首先，关于组织结构，2G NAND的特点如下： - 存储页面大小不同，有x8模式（每页2112字节，包含2048字节数据和额外的64字节）和x16模式（每页1056个单词，即1024字节数据加32字节）。 - 块大小为64页，对应128KB数据加上4KB的保留区。 - 每个设备的容量为2GB，等于2048个存储块。 在性能方面： - 非同步接口下的读取时间(tRC)和写入时间(tWC)分别为20ns（3.3V）和25ns（1.8V），对于读取操作，单个页面的读取时间为25微秒，典型情况下（1.8V或3.3V）程序页面的写入时间为200微秒，而块擦除操作的典型时间为700微秒。 命令集采用ONFI NAND Flash Protocol，还支持高级功能： - 程序页面缓存模式和读取页面缓存模式，提高数据处理速度。 - 一次性编程(OTP)模式，允许特定的只写一次区域。 - 两个平面的独立操作，支持多任务执行。 - 可读取唯一的ID，便于识别和管理。 - 包含块锁定功能，仅限于1.8V供电。 - 内部数据移动功能，优化内部数据管理。 - 提供操作状态字，通过软件方法检测操作完成、错误状态以及写保护状态。 - 使用Ready/Busy信号(R/B#)进行硬件级别的操作完成检测。 - 写保护信号(WP#)可用于控制写入权限。 这份2G NAND闪存记忆体的手册详细列出了其技术规格和功能，旨在帮助用户了解如何高效地集成和利用这些内存组件，并确保数据存储的可靠性和性能。这对于电子设备制造商、系统设计师和开发人员来说是一份重要的参考资料。