模拟CMOS电路详解：小信号模型与计算实例

模拟CMOS电路分析总结是一篇针对模拟CMOS集成电路设计中MOS管电路的计算方法的实用教程。文章作者依据拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》前三章内容，结合个人理解，提供了直观的计算技巧，主要关注小信号模型和电路参数的分析，如输出阻抗R和电压增益A。 小信号模型是理解模拟CMOS电路的基础，文章强调了理解小信号模型的重要性，特别是区分不考虑二级效应的简化模型（图1b）与包含沟道长度调制效应（o r）和体效应（BS mbV g）的完整模型（图1c）。MOS管作为压控器件，其输入阻抗极高，这使得与BJT相比，MOS管的输入特性更易于处理。 文章提供了一个简单的MOS管放大电路示例（图2），如一个具有单一MOS管、电阻和电源的放大器。在这个例子中，计算放大倍数和输出阻抗是关键步骤。由于没有体效应和沟道长度调制效应的影响，可以直接利用基本的小信号模型来求解。 虽然作者表示自己仅有一年的CMOS电路学习经验，且无实际流片经验，但本文仍提供了有价值的学习材料，适合初学者理解和应用。读者在阅读时应持批判性思维，以便于深入理解和吸收这些概念。此外，文章还推荐了作者之前发布的关于BJT电路分析的文章，以帮助读者从不同角度理解模拟电路的设计和计算。 这篇文章为模拟CMOS电路设计者提供了一套实用的计算技巧和理论框架，尤其是在处理MOS管电路时，能够简化复杂度，提高设计效率。通过阅读和实践，学习者可以提升对模拟CMOS电路性能分析的能力。