HY57V281620E：现代128Mb同步DRAM数据手册

"现代8x16 HY57V281620E SDRAM是一种128兆位同步动态随机存取内存，适用于需要宽数据I/O和高带宽的内存应用。该芯片组织为4个2,097,152x16位的银行，提供完全同步的操作，时钟正沿触发。" 现代8x16 SDRAM，具体型号为HY57V281620E，是Hynix Semiconductor推出的一款高性能存储解决方案。这款器件基于2Mx4 Bankx16 I/O结构，总容量达到了128兆位（16M x 8 = 128M），其中每个bank包含2,097,152个存储单元，每个单元是16位宽，总计4个bank。 文档中的修订历史反映了该芯片设计的不断优化。例如，从修订版本1.1中，可以看到A12引脚的分配被更正为非连接（NC），1.2版增加了工业温度范围支持（-40°C至85°C），1.3版调整了tOH时间参数（从2.5ns变为2.7ns），而1.4版则添加了超低功耗特性，IDD6的电流降低至500微安。 同步动态随机存取内存（SDRAM）的关键特性在于其与系统时钟同步工作，这意味着所有读写操作均在时钟边沿触发，这显著提高了数据传输速度和系统性能。HY57V281620E系列提供了这样的高速访问，适用于图形处理、网络设备、服务器和嵌入式系统等对速度有较高要求的应用。 该芯片的操作电压、时序参数、电源管理、封装形式以及电气特性都在datasheet中有详细描述。例如，IDD3P和IDD3PS的电流从3毫安更新为5毫安，表明芯片在待机或部分工作模式下的功耗有所降低。工业温度范围的增加表明它可以在恶劣环境下稳定工作。 此外， datasheet还会包括其他重要信息，如地址线、数据线、控制信号线的定义，刷新机制，预充电时间，列地址和行地址的访问时间，以及各种工作模式（如正常读写、突发读写、自刷新等）的详细规范。对于系统设计者来说，这些信息是正确集成和优化现代8x16 SDRAM到他们系统的关键。 HY57V281620E是一款高性能、高密度的同步DRAM，通过持续的修订和改进，旨在满足不断增长的存储需求和低功耗要求，广泛应用于各种需要高速数据处理的现代电子设备中。