HY57V281620E:现代128Mb同步DRAM数据手册
需积分: 10 34 浏览量
更新于2024-09-18
收藏 124KB PDF 举报
"现代8x16 HY57V281620E SDRAM是一种128兆位同步动态随机存取内存,适用于需要宽数据I/O和高带宽的内存应用。该芯片组织为4个2,097,152x16位的银行,提供完全同步的操作,时钟正沿触发。"
现代8x16 SDRAM,具体型号为HY57V281620E,是Hynix Semiconductor推出的一款高性能存储解决方案。这款器件基于2Mx4 Bankx16 I/O结构,总容量达到了128兆位(16M x 8 = 128M),其中每个bank包含2,097,152个存储单元,每个单元是16位宽,总计4个bank。
文档中的修订历史反映了该芯片设计的不断优化。例如,从修订版本1.1中,可以看到A12引脚的分配被更正为非连接(NC),1.2版增加了工业温度范围支持(-40°C至85°C),1.3版调整了tOH时间参数(从2.5ns变为2.7ns),而1.4版则添加了超低功耗特性,IDD6的电流降低至500微安。
同步动态随机存取内存(SDRAM)的关键特性在于其与系统时钟同步工作,这意味着所有读写操作均在时钟边沿触发,这显著提高了数据传输速度和系统性能。HY57V281620E系列提供了这样的高速访问,适用于图形处理、网络设备、服务器和嵌入式系统等对速度有较高要求的应用。
该芯片的操作电压、时序参数、电源管理、封装形式以及电气特性都在datasheet中有详细描述。例如,IDD3P和IDD3PS的电流从3毫安更新为5毫安,表明芯片在待机或部分工作模式下的功耗有所降低。工业温度范围的增加表明它可以在恶劣环境下稳定工作。
此外, datasheet还会包括其他重要信息,如地址线、数据线、控制信号线的定义,刷新机制,预充电时间,列地址和行地址的访问时间,以及各种工作模式(如正常读写、突发读写、自刷新等)的详细规范。对于系统设计者来说,这些信息是正确集成和优化现代8x16 SDRAM到他们系统的关键。
HY57V281620E是一款高性能、高密度的同步DRAM,通过持续的修订和改进,旨在满足不断增长的存储需求和低功耗要求,广泛应用于各种需要高速数据处理的现代电子设备中。
2023-02-27 上传
2023-07-28 上传
123 浏览量
2021-08-23 上传
2023-01-14 上传
2015-09-01 上传
2010-10-13 上传
2015-02-05 上传
qhsjcyc
- 粉丝: 9
- 资源: 15
最新资源
- 掌握压缩文件管理:2工作.zip文件使用指南
- 易语言动态版置入代码技术解析
- C语言编程实现电脑系统测试工具开发
- Wireshark 64位:全面网络协议分析器,支持Unix和Windows
- QtSingleApplication: 确保单一实例运行的高效库
- 深入了解Go语言的解析器组合器PARC
- Apycula包安装与使用指南
- AkerAutoSetup安装包使用指南
- Arduino Due实现VR耳机的设计与编程
- DependencySwizzler: Xamarin iOS 库实现故事板 UIViewControllers 依赖注入
- Apycula包发布说明与下载指南
- 创建可拖动交互式图表界面的ampersand-touch-charts
- CMake项目入门:创建简单的C++项目
- AksharaJaana-*.*.*.*安装包说明与下载
- Arduino天气时钟项目:源代码及DHT22库文件解析
- MediaPlayer_server:控制媒体播放器的高级服务器