英飞凌IPB010N06N MOSFET芯片技术规格详细解读

"IPB010N06N是英飞凌公司生产的一款N沟道MOSFET芯片，适用于同步整流，具有优化的性能参数和出色的热特性。该芯片经过100%雪崩测试，符合JEDEC标准，无铅且符合RoHS和卤素免费的要求。其主要规格包括：最大 Drain-Source 电压（VDS）为60V，最大漏源导通电阻（RDS(on)）为1.0mΩ，连续漏电流（ID）可达180A，总栅极电荷（Qg）从0V到10V为208nC，而总存储电荷（Qoss）为228nC。芯片采用D²-PAK 7pin封装，包装代码为PG-TO263-7，标记为010N06N。" 英飞凌的IPB010N06N MOSFET是一款高性能的功率晶体管，设计用于同步整流应用，这通常在高效率电源转换系统中常见，如开关电源或直流-直流转换器。其100%的雪崩测试确保了在过压条件下芯片的可靠性，允许它在安全操作区域内承受一定的能量脉冲。 这款MOSFET的N沟道特性意味着它需要在栅极与源极之间施加正电压来开启，允许电流从漏极流向源极。低的RDS(on)值意味着在导通状态下，它对电路的压降小，从而降低了功耗和发热。同时，较高的ID值表明它可以处理较大的电流负载，适合大电流应用。 此外，IPB010N06N的卓越热特性体现在其优越的热阻上，这有助于在高功率运行时保持较低的温度，延长了器件的寿命。符合JEDEC标准意味着它满足了电子行业的广泛认可的质量和可靠性要求，而无铅和卤素免费的特性则使其符合现代环保要求，适用于全球市场。 该数据表还包含了芯片的最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓、修订历史以及商标和免责声明等信息。这些详细的技术参数对于设计师来说至关重要，他们可以据此评估IPB010N06N是否适合他们的特定应用需求。例如，电气特性图表会提供开关性能和阈值电压等关键信息，而封装轮廓则指导工程师正确安装和布局。