书书书
第
30
卷
第
2
期
光
学
学
报
Vol.30
,
No.2
2010
年
2
月
犃犆犜犃犗犘犜犐犆犃犛犐犖犐犆犃
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2010
文章编号:
02532239
(
2010
)
02060207
基片材料与沉积参数对薄膜应力的影响
李玉琼
喻志农
王华清
卢维强
薛
唯
丁
!
(北京理工大学光电学院薄膜与显示技术实验室,北京
100081
)
摘要
采用哈特曼 夏 克 传 感 器 的 薄 膜 应 力 在 线 测 量 仪 测 量 了 利 用 离 子 辅 助 电 子 束 蒸 发 的
SiO
2
,
TiO
2
,
Ta
2
O
5
,
Al
2
O
3
与
ITO
薄膜在不同厚度时的应力值,并深入研究了基片材料与沉积参数对
SiO
2
,
TiO
2
薄膜 应力 的影响。 研
究结果表明
,在成膜的初始阶段,薄膜应力与薄膜厚度基本上呈线性函数,当达到一 定厚 度时薄 膜应 力基本 趋于 一
个定值;薄膜与基片的热失配将引起薄膜热应力,通过选择合适的基片材料可以使其降 低;对
TiO
2
薄膜 而言,当基
片温度低于
150 ℃
时,热应力起主要作用,当基片温度高于
150 ℃
时,薄 膜致 密引起 的压 应力占 主导 地位,但
SiO
2
薄膜其热应力始终占主导地位;当真空室压强低于
1.7×10
-2
Pa
时,
SiO
2
薄膜 的张 应力主 要是 由离子 辅助 溅射效
应而引起,当真空室压强高于
1.7×10
-2
Pa
时,
SiO
2
薄膜的张应力随着压强的增大而增大,但折射率减小。
关键词
薄膜光学;薄膜应力;哈特曼 夏克传感器;基片材料;沉积参数;离子辅助沉积
中图分类号
TB43
文献标识码
A
犱狅犻
:
10.3788
/
犃犗犛20103002.0602
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狅狊犻狋犻狅狀
(
犐犃犇
)
收稿日期:
20090415
;收到修改稿日期:
20090709
基金项目:国家部委预研项目(
51302060203
)资助课题。
作者简介:李玉琼(
1982
—),男,博士研究生,主要从事柔性电致发光显示方面的研究。
Email
:
li
y
u
q
ion
g
bit
@
y
ahoo.com.cn
导师简介:薛
唯(
1956
—),男,教授,主要从事光电信息获取、存储、处理与显示等方面的研究。
Email
:
xuewei
@
bit.edu.cn
通信联系人。
Email
:
zn
y
u
@
bit.edu.cn
1
引
言
现代 光学系统需 要大量薄膜 光学元器件,而 光
学薄膜是由固体材 料经过蒸 发 或溅射形 成 的
,在 此
过程中通常会产生很大的应力。影响薄膜应力的因