1.3μm InP基InGaAsP量子阱激光器制备与性能研究

本篇论文深入探讨了1.3微米（1.3 μm）的铟磷（InP）基多量子阱（MQW）激光器的制备方法及其关键特性。作者王龙、陈佳以及刘昊和任晓敏来自北京邮电大学信息光子学与光通信研究院，他们在实验中成功地设计并制备了一款工作在1.3 μm波段的InGaAsP MQW宽接触激光器。这种激光器的核心技术在于其有源区，采用了六周期的无应变InGaAsP量子阱结构，每个量子阱宽度设定为100微米，这有助于优化光子在其中的传输和相互作用。 在实验条件下，当激光器在大约8摄氏度的低温下运行时，已经实现了连续发射，所需的阈值电流为240毫安（mA），相应的阈值电流密度达到480安培每平方厘米（A/cm²）。这意味着在较低的激发电流下，激光器就能够稳定工作，这对于能源效率和热管理具有重要意义。 随着注入电流增加到350毫安，激射的光波长锁定在1297.7纳米（nm），表明激光器在不同电流下的稳定输出性能。然而，论文还指出，在室温环境下，当电流提升到400毫安时，激光器进入脉冲发射状态，此时的阈值电流密度提高到800 A/cm²，这反映了温度对激光器性能的影响。进一步增加到700毫安的脉冲电流时，激射波长移动至1304.6纳米。 这篇研究对于理解InP基InGaAsP多量子阱激光器的设计参数、性能优化和潜在应用具有重要价值，尤其是在光纤通信和光电子设备中，这类激光器可能被用于长距离、高速的数据传输和信号处理。通过分析这些关键特性，研究人员可以为未来的器件开发提供理论依据和技术指导。