PIC16F/LF1825/1829存储器编程指南：DC特性与纳米级节能技术

本篇文档详细介绍了针对PIC16F/LF1825/1829型号采用nanoWattXLP技术的14/20引脚闪存单片机——如Microchip Technology Inc.的DS41440A_CN的数据手册中关于存储器编程的要求。主要内容涉及以下几个方面： 1. **直流特性**：规定了标准工作条件，即环境温度范围从-40°C到+125°C，这是所有编程操作的基础。 2. **程序存储器编程规范**： - **VIHH/MCLR/VPP/RA5** 引脚要求8.0~9.0V的电压，仅在禁止单电源编程时需要。 - **IDDP** 编程时允许的最大电流为10mA。 - **批量擦除** 期间VDD电压范围为2.7~VDD。 - **VPEW**（写或行擦除）和**IPPPGM**（擦除/写操作时的MCLR/VPP电流）有特定的电压和电流限制。 3. **数据EEPROM存储器**： - 数据的耐擦写能力为100K次，E/W操作在-40°C至+85°C范围内。 - **VDRW** 读/写操作的VDD电压要求。 - **TDEW** 擦除/写周期时间为4.0~5.0ms。 - **TRETD** 特性保持时间通常为40年，除非其他规范被违反。 4. **闪存程序存储器**： - 单元耐擦写能力为10K次，E/W操作同样有温度限制。 - **VPR** 读操作时的VDD电压范围。 - **TIW** 自定时写周期时间范围。 - **TRETD** 特性保持时间同上。 5. **注意事项**： - 除非特别注明，所有“典型值”是在3.0V和25°C条件下给出的参考值，实际设计应考虑温度变化的影响。 - 对于数据EEPROM的耐擦写能力，还推荐参阅第11.2节“使用数据EEPROM”获取更多信息。 - 当使用MPLAB ICD 2进行编程或调试时，VPP电压控制需外部设置，以避免干扰。 在整个文档中，Microchip Technology Inc.强调了翻译文档仅是为了方便理解，并提醒读者原文档中的英文部分包含关键性能信息，建议查阅英文版。此外，文档包含了免责声明，说明Microchip不对翻译错误负责，用户需自行确保应用符合技术规范，且在使用过程中产生的风险和责任由用户自负。特别强调，对于生命维持和生命安全应用，用户需自行承担全部风险，且在任何法律纠纷中，用户需保护并赔偿Microchip。最后，文档中提及了Microchip的各种商标和知识产权信息。