IPD042P03L3-G-VB: 30V P沟道TO252封装MOSFET特性与规格

IPD042P03L3-G-VB是一种专为P沟道应用设计的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用业界标准的TO-252封装。这款器件具有以下主要特点： 1. **电气规格**： - **最大门极-源极电压**（VGS）：支持±20V，确保在宽工作电压范围内提供稳定的性能。 - **连续漏极电流**（ID）：在25°C下可达到-70A，在125°C极限温度下降低到-58A。 - **脉冲漏极电流**（IDM）：在短时间脉冲条件下限制在-240A。 - **雪崩电流**（IAR）：能承受-60A的峰值电流冲击。 - **重复性雪崩能量**（EAR）：在特定电感条件（L=0.1mH）下，最大为180mJ。 - **功率消耗**（PD）：需考虑散热设计，确保在-55°C至175°C的温度范围内安全工作。 2. **热性能**： - **热阻指标**： - 焊盘到环境（Junction-to-Ambient, RthJA）：提供散热性能，有助于在高温下保持器件稳定性。 - 焊盘到外壳（Junction-to-Case, RthJC）：用于估算芯片内部热量传递到封装外壳的能力。 3. **兼容性和认证**： - 符合RoHS指令2002/95/EC的要求，但注意铅含量较高的终端部分可能不满足RoHS标准，具体情况可能有豁免。 4. **产品概述**： - 漏极电压（VDS）范围为-30V，典型开启电阻（RDS(on））在-10V VGS下为0.009Ω，-4.5V VGS时为0.011Ω。 - 提供两种条件下的ID测量值：25°C下的PCB安装和自由空气散热状态下。 5. **支持与联系**： - 产品提供了客户服务热线：400-655-8788，用户可以查询更多技术资料和问题解答。 IPD042P03L3-G-VB适用于对低导通电阻、高开关速度和宽工作温度范围有需求的电路中，如电源管理、信号放大和开关负载等应用场景。在选择和使用该MOSFET时，务必仔细查阅数据表中的安全工作区域（SOA曲线）和限制条件，以确保设备的可靠性和寿命。