三星256Mx8Bit NANDFlash开发板详细手册：K9F2G08系列特性与规格

本文档详细介绍了三星电子的JZ2440开发板所使用的NANDFlash存储器——K9F2G08X0A的具体特性。这款存储器具有以下关键特点： 1. **电源电压范围**：支持1.65V~1.95V和2.70V~3.60V的宽电压范围，适应不同的系统需求。 2. **存储组织结构**： - 存储单元阵列：256MByte主存储区域加上额外的8MByte OOB（Out-of-Band）区，总容量为2G-bit。 - 数据寄存器：包含2KByte和64Byte的页面，便于数据处理。 3. **编程和擦除操作**： - 页编程：针对2KByte或64Byte的页面进行快速编程，典型时间为200μs。 - 块擦除：支持128KByte和4KByte的大块擦除，典型时间约为1.5ms。 - 读取性能：随机读取速度最快可达25μs（最大），而串行访问速度则为25ns（最小）。 4. **命令/地址/数据复用I/O端口**：允许数据传输的同时接收和发送命令和地址信息。 5. **硬件数据保护**：采用可靠的CMOS浮栅技术，确保数据在断电状态下仍保持安全。 6. **耐用性和寿命**： - 可靠性高达100K编程/擦除周期，支持1bit/512Byte ECC（错误纠正码）以增强数据完整性。 - 数据保存时间长达10年，适合长期存储应用。 7. **命令式操作**：具备智能Copy-Back编程功能，以及1bit/528Byte的EDC（Error Detection Code）用于数据校验。 8. **版权保护与封装**： - 提供多种封装选项，如无铅封装的K9F2G08U0A-PCB0/PIB0（48-pin TSOP I）和K9F2G08U0A-ICB0/IIB0（52-pin ULGA），满足不同尺寸和密度需求。 9. **兼容性和更新**： - K9F2G08U0A系列支持1.8V模块，且随着版本更新，参数规格有所调整，如拉电流/灌电流条件、时序参数等。 总结来说，K9F2G08X0A是一款适用于大规模非易失性存储应用的理想选择，其高效、可靠和灵活的特性使其在固态文件存储、便携式设备等领域中表现出色。本文档详细记录了该存储器的技术规格和使用注意事项，为开发板设计者和系统集成者提供了宝贵的参考。